Other Parts Discussed in Thread: CC2642R
我在使用TI的CC2642R时候发生了过激问题，需要协助解决
我们已经完成认证等所有工作，因此不能修改PCB
- 我们测试的晶振匹配性报告，可以看出负阻（170 Ohm）与DL（340uW）两项不符合晶振规格书参数，因此设计有风险
- 使用元件规格：CC2642R1FRGZR+ NX2016SA-48M-EXS00A-CS05517
- 我们是参照TI的demo板设计，元件没有变更，layout上有一点差异（多层板，电源走内层）并且晶振离芯片比较近
- 我们希望可以帮忙分析并提供建议需要怎么改善CC2642内部参数配置可以使之满足要求
- 找到一份文档SWRA495G，里面有提到DL的计算公式，可以看出与CL/ESR以及VPP值强相关
DL = 2×ESR(πf(CL+CM)VPP)2 - 在选定晶振的情况下，ESR固定，因此可调整参数CL/VPP
- 文档中有说明最大可支持1.6VPP，想了解下是否可以修改这个数值大小，还请提供下文档
- 还有其他方式可以解决这个问题吗？
