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Other Parts Discussed in Thread: CC2530, Z-STACK
大家都知道单片机内部的flash都有写次数寿命限制。我们可以看到协议栈中osal_nv中的flash写次数是有优化的，那么这个优化的程度如何。比如原来可写的周期是10万次，经过优化后，可以达到多少次？其中的优化基本原理是什么？比如我们的产品方案中CC2530每次重启都要写一次配置参数（大概16个字节），该如何去考虑这个flash操作问题？
@shouhui,
TI Z-Stack NV操作写Flash的方式并不是传统的操作Flash的逻辑，而是类似于追加机制的操作方式，比方说同一个item在第一次写和第二次写在Flash的位置是不一样的。
每次重新写的时候，都是把新的数据写在之前写的地址的后面追加上去。这样的目的在于 某个item重新数据的时候，不需要先把原先的擦除，再写。
而是被废弃的Flash达到2K的时候，一次性擦除。
这样对Flash的操作寿命有很大的提升。
