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Other Parts Discussed in Thread: Z-STACK, CC2530
首先谢谢各位大牛指点。我实在ZStack-CC2530-2.2.2-1.3.0中的genericApp工程中添加了ds18b20程序进行测温。其中只进行ds18b20测温或者只进行终端和协调器通信两项分离的任务都是可以实现的，但是将测温结合通信发送温度数据的时候，每次都是测得的数据都是0x7F即127，调试过程中发现每次进入测温函数过后未执行完就跳出。我利用的是z-stack中的延时函数void Ds18b20Delay(unsigned int k){ MicroWait(k);}我尝试过增加延时，以及增加发送周期，增加事件重置的时间溢出值，但是都未能解决。甚是苦恼！已经调了几天了，由于个人知识不及，所以才这里求教各位大牛，希望能得到及时雨。
程序代码见附件。
谢谢！
用示波器查看CC2530与DS18B20通信的波形，观察延时是否与DS18B20数据手册上要求的一致。
所有软件编写的时延都要用示波器观察才能知道在实际中是否准确。
你所指的只进行ds18b20测温或者只进行终端和协调器通信两项分离的任务中，进行ds18b20测温是在协议栈中进行的吗？
两项分离的程序是可以完成的。但是就是将ds18b20的程序添加进协议栈中进行测温发送数据，就出现不能正常测温了。一直显示的数据值为127.谢谢！我接下来尝试修改一下时序问题！
分离可以正常运行说明时序没有问题，那么主要的问题就出现在延时函数在运行时所产生的时延不正确，用示波器观察可以一目了然，与DS18B20数据手册上的时序图对照一下就知道延时是否达到要求了，一般的DS18B20结果异常就是因为延时不正确所导致的。
主要是没有示波器现在，我尝试计算进行修改时序！希望可以！谢谢。
由于我没有修改过时序的经验，您说的根据数据手册修改，是修改初始化、读时序、写时序几个相应的延时时间吗？
你从ds18b20的数据手册中可以看到，MCU要向ds18b20写入指令，除了要从通讯口写入指令所对应的一串高低电平外，每个写入的电平的持续时间也是有严格定义的，否则将会导致操作ds18b20失败，而所写入的电平的持续时间就是通过MCU的延时来实现的，假设数据手册上标明写入一个高电平后需要持续大于60us然后写入一个低电平持续大于2us才能再写入一个高电平，则对应的代码为：iodata = 1; delay60us(); iodata = 0; delay2us(); iodata = 1; ...... 你需要检查的就是这些延时函数所产生的延时时间是否正确，这些延时时间不正确将会导致电平的持续时间不足或过大，就极有可能造成写入指令失败。
你好，请问还在么？我也遇到了你同样的问题。调试了好久还是么有结果，请问你当时怎么做出来？谢谢
你好，请问你的问题解决了吗？
我现在也是遇到了这个情况，第一次读的温度是85，以后就是127了，请问您解决了吗？问题出在了哪里？
您好，请问您解决了吗？
