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BQ25756EVM: BQ25756芯片放倒灌处理

user5014784
Prodigy 100 points

Part Number: BQ25756EVM
Other Parts Discussed in Thread: BQ25756

您好，TI工程师：

我在进行BQ25756芯片选型设计时遇到一个问题，想咨询一下官方这个芯片需不需要两个背靠背的NMOS管做放倒灌处理，官方给出的BQ25756评估模块原理图如下图所示，图纸先是画出了放倒灌的MOS管，后面又屏蔽掉了，并且MOS管的栅极还接到了一个NC的引脚上，这样设计是否存在问题。

image.png

另外，在BQ25756数据手册的参考设计中，有用到TPS2663X浪涌保护器，这样做能否做到放倒灌？

  • 0
    TI__Mastermind 46175 points

    您好，已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

  • 0
    TI__Mastermind 47725 points

    您好

    user5014784 说：
    BQ25756评估模块

    官方开发板为了方便客户测试用的，所以有相关电路存在，但是因为要满足普遍性，所以在这个方面有所取舍。

    user5014784 说：
    想咨询一下官方这个芯片需不需要两个背靠背的NMOS管做放倒灌处理

    这个根据您实际应用情况进行取舍，官方开发是去掉这部分也不妨碍测试的。

    user5014784 说：
    在BQ25756数据手册的参考设计中，有用到TPS2663X浪涌保护器，这样做能否做到放倒灌？

    防浪涌主要是启动瞬间的大电流等相似情况，如果您有防倒灌的要求，建议您酌情添加相关电路。