THS3470: THS3470过流超过1.3A烧毁问题咨询

Part Number: THS3470


您好:

      我在用XTHS3470 搭接的同相比例运放,信息如下:放大倍数 AV=8.17,(RF用2颗4.3K并联后等于2.15K,RG=300R),运放供电是+/-30V;芯片带大散热片;

1、实验过流功能是 输入直流信号 +3.1VDC,输出 +25.2VDC左右;最初实验设定1A的过流点,通过输出端加载水泥电阻实验,可达到1A过流,测试Iout监控的电压波形发现是: 过流打嗝保护模式;这个1A过流点短时间工作,芯片THS3470正常;

2、继续过流点设定到1.5A, 通过加大水泥电阻15R,通过测试的Iout监控电压换算电流大概为1.28A的时候,短时间还正常工作。然后我用水泥电阻12R进行测试,瞬间看到 Iout监控电压 也是过流的打嗝保护模式,过了3~5S左右后,IC就出现烧毁,表现为:输出短路、电源短路; 

3、想请教下:为啥设定1.5A过流点,实验还没到1.5A也会烧毁? 这个过流保护看起来是打嗝保护,是不是运用达不到1.5A的设定过流点? 如果需要设定1.5A过流保护的功能,需要如何操作?请帮忙指导下,谢谢!

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  • 您好

    已经收到了您的案例,调查需要些时间,感谢您的耐心等待

  • 您好

    该器件应能钳制至1.5A。我认为问题可能源于您所使用的THS3470版本。若封装标注为XTHS3470,则属于旧版。我们数据手册中所示数据所用的最新硅片已对钳制电路和限流特性进行了更新改进。关于实际故障,您在测试时是否监测了芯片温度电压引脚?该器件承受如此大电流会导致结温升高。此外,您的P0和P1偏置引脚是否连接到过温标志?这是确保器件关断的有效措施。我们正在生产最新硅片,若客户有样品需求,两周内即可交付。

  • 您好:  

    1、P0和P1偏置引脚是连接到过温标志,即:过温应该自动保护;如下截图是实际原理图的连接。 

    2、实际测试烧毁时,没用示波器检查DIE_TEMP引脚,所以无法给出是否触发过温点。 但是按照上述截图。正常过温应该要自动保护;

          另外我们加了很大的散热器。实际1A工作,短时间内(如:1分钟内),散热器表面都不会发热现象, 我们导热垫用的是6W/k;

          测试1.3A以上 烧毁的时候,时间就3-5s左右就输出短路;

    3、想请教下:   最新硅片已对钳制电路和限流特性进行了更新改进, 是否还是 过流打嗝保护模式? 还是说直接切断,然后在检测是否恢复正常?

          另外,这个样品需求,我应该如何申请,线下和FAE进行咨询吗?

    4、最后问下,这个样片目前还是预发布状态, 预计转量产的确定时间大概啥时候?我们有需求。

  • 您好

    Thanks for confirming this. I was able to get some information regarding the behavior. The current clamp circuitry should not hiccup meaning it should clamp and stay clamped at a given output current. What you might be seeing is that the thermal protection is also kicking in and shutting down the amplifier until it hits a certain temperature then turns back on. In an ideal scenario the current limit should stay clamped. The latest version of the die was improved and should behave better than the version you were using. For samples, the FAE can contact me through email to get some information, and we can ship some your way. Regarding the transition to mass production, we are currently working on finalizing some experiments and depending on how things go we could potentially release the device by the end of the year. If it is not happening this year, we are targeting Q1 of next year.

  • 您好:

         关于过流保护机制和热保护功能,我在实验过程中,有如下疑问,并请教 结温的转换应该如何计算。 测试条件如上写的一样;本次设定1.0A左右的过流点,输出幅度最大50VPP;

    1、100K方波: 带载15R水泥电阻,测试达到过流打嗝保护模式了,这时候测试DIE_TEMP的电压是2.414V; 【常温下无输入信号,空载下是1.666V】,这个电压达到过温保护了吗?

    2.1、2M方波,带载后,测试 DIE_TEMP的电压是2.722V,这时候电流最高峰值在0.79A,未达1.0A附近过流保护,电流正常; 但是测试 DIE_TEMP的电压是2.722V,远大于上述1中的2.414V。  那么按照1中的表现应该就是 电流打嗝保护模式? 还未达到过温保护?

    2.2、P0/P1的引脚我也接到 OVTEMP_FLAG 这个管脚了;

    3、另外请教测量DIE_TEMP的电压后,应该如何换算 得到结温,我按照规格书如下截图计算,似乎不对,烦请帮忙看下这个要如何换算呢? 比如我上述的2.722V 如何换算为结温? 换算后是多少呢?感谢帮忙指点。