MOS工作在deep triode区，可以作为压控电阻使用，有没有应用实例，具体MOS管的型号

感谢回复！

VGS多少都可以，打算采用DAC，所以VGS无所谓的。

分散性指的是？？

我担心不同信号频率，MOS表现出来的电阻阻值不同。我的信号在7kHz到10kHz之间会变的。

乘法器指的是？ 模拟乘法器吗？ 能具体阐述一下吗？

再次感谢！

由于你选择的是分立元件，所以；每个元件；不同栅电压下的漏源电阻是不一样的。并且；它们受温度影响的变化也有差异。这就是分散性。

对于电路来讲，你需要的漏源电阻，实际上是栅电压函数。可以理解为RDS=KVg+Ro。K就是管子增益。而实际上，这个K和Ro都是不确定的。

所以，即便是中间变量，你会发现可调阀值和比例增益会随不同管子和温度而变。理论上仅温度就可以达到200%的温漂。

这对调解稳定度有较大影响。

如果将栅电压和分压前信号作为输入变量，那么；分压后的输出就是Vo=K*（Vg-Vth）*T*Vin
K为电阻垮导，T为分压比。
从公式就可以看出，输出实际上是这两个乘积关系。所以；如果可能，可以用乘法器计算输出。
乘法器有两种实现方法：
模拟乘法器：本质上是利用库佰对的乘法特性做运算输出。TI有现成乘法器产品，在运放产品目录里，可以选择。
数字法：既然能有AD，实际上可以分别将两个模拟量转成数字量后；用MCU里的乘法器计算就可以获得数字结果了。

同一型号的管子，在同一温度下的 K和R0应该是确定的吧？

栅电压0.1V到5V左右。可变电阻的阻值变化，最大值和最小值相差MEG欧姆级别的，有吗？ 应该去哪里找？ TINA里面有不少，总不能一个个试吧？

2N7000、2N7002都是可以满足你的要求。

同一栅电压下，由于开启门槛差异，RDS差异非常大。

从数据表就可以发现，通常开启电压0.8～1.5V这样的跨度。在1V附近，RDS就会有极大差异。

即便同一只管子，温度从25℃变化到85℃，即便完全打开状态，也会有约50%差异。

所以，考虑到各项参数影响。分立方案的应用技巧和估算要求远高于集成方案。产品分散性也高的多。

模拟乘法器有很多厂家生产。大约从几块钱到千把块钱样子。网上有很多这样信息，比如得捷电子（中文版digikey，www.digikey.com.cn）上尝试搜下。