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采用INA226进行电流采集，采样电阻选用15mR，误差变化较大，例如，在18V，0.9A的采样中，第一次误差5mA，第二次测量误差达到50mA；而且不同的电流值误差也不同；想请教下INA226电流采集的精度范围大概是多少？应该如何避免误差的产生？
采用INA226进行电流采集，采样电阻选用15mR，误差变化较大，例如，在18V，0.9A的采样中，第一次误差5mA，第二次测量误差达到50mA；而且不同的电流值误差也不同；想请教下INA226电流采集的精度范围大概是多少？应该如何避免误差的产生？
您好，
您是采用高侧电流检测还是低侧电流检测？两次测量结果误差不应相差这么大，您在寄存器读写方面是不是已经验证了可以正确读写？
测量不同的电流值误差不同是正常的，在下面产品首页链接有误差分析工具，您可以使用估算下最大误差，如下截图所示：
https://www.ti.com.cn/product/cn/INA226?
运放输入端有输入失调电压，因此采用电阻越大，失调电压占的比重越小，误差越小，因此在采样电阻压降允许的条件下越大，误差越小；
另外，电源的纹波也会引起输出误差，应减小电源电压波动。
平均16次，间隔1.1ms（0x4527）；应用场景下对采样要求不高，分钟级别采集一次就可以，还有个问题就是，每次采集寄存器的值基本不变化，除非电流发生比较大的变化（几十mA）
这是我的推算过程 请参考
最大检测电流15A
电流检测精度500uA
calibration寄存器的数值应该设定为十进制3413
我不清楚您是怎么设计的 您的0x06AB是calibration寄存器的数值吗
在您的电路中，最大15A负载Load接在哪端了？是VIN-还是VIN+？
看下图，如果是下图这种接法，实际测量的VBUS电压与外部供电电压12V是不一样的，实际测量的VBUS电压是12V减去Vshunt电压。我不清楚您说的电压精度未达到标称精度是不是因为这个原因造成的？
先说电流采集的问题 如果你想了解INA226的采集精度 你可以看下ti的这个设计TIDA-00313 里面有数据分析
我觉得电流采集误差大，应该和这个有关系
首先 shunt电阻的压降范围是约±80mV
芯片里面应该也是ADC采集shunt电阻压降计算的电流
既然这样，如果输入电流变化导致的采样电阻压降 能够满足±80mV的范围，那么 采集应该会得到比较好的精度
就好比一个16位的ADC，采集范围是0到5V，输入信号也是0到5V
再来看你的设计里 采样电阻是0.003欧姆，采集电流要到15A，那么最大的采样电阻压降也只有0.045V，输入信号的范围大概是允许范围的一半，从这一点看，我觉得可能就已经损失了一半的精度，你可以看一下官方的那个设计，里面的采样电阻是100mohm，采样电阻的压降是±80mV。
但是对于你的设计，电流很大，势必采样电阻不能太大，否则会超范围。
我不知道你的采样精度要做到多高，如果是20A，0.05%的精度，（实际测试2.5A，误差在5mA以内），这个能不能满足你的使用要求
如果要达到这样的采集精度，差动放大的采集方式应该不太容易实现，一般的工业级霍尔传感器或者磁通门传感器也很难达到
我测试的能达到我说的这个精度的传感器，是之前我发到这个贴里的那个C2000论坛里我分享的测试报告里使用的磁通门传感器
我使用要求是2.5A，误差小于5mA
当然这个只是就电流采集精度我介绍了我的解决方式，在你环境里不一定适用
我这里有调试的波形记录 你可以比对一下 我用的是C2000系列的片上外设I2C控制的
顺序写入的4个字节
1000 0000 --> 设备地址 写操作
0000 0000 --> 配置寄存器地址
0100 0101 --> 写入配置寄存器高字节 0x45
0010 0111 --> 写入配置寄存器低字节 0x27
配置寄存器默认值4127 设置成4527是转换16次求平均