各位上图中运放输出考虑器件误差情况下 ISO_NEG的输出范围是多少
VDD5=5V理想电源
假设RS2 =5.1K 千分之一精度
RNS2 =1.2M 千分之一精度
Vref = 2.505V
HV_Batt =100.006V
运放名字 OPA2348 参数如下 DATASHEET地址OPA2348 数据表、产品信息和支持 | 德州仪器 TI.com.cn
在参考设计 TIDA-01513 中我无论如何计算都得不到他所写的值，求各位指点如何计算真实运放的输出误差区间以及如何得到下边的测试值
TIDA-01513 参考设计 | 德州仪器 TI.com.cn
您好，
根据您所附等效电路：
NEG侧的电压应该是：
ISO_NEG =[(Vref+HVbatt）/(Rns1 +Rns2)] * Rs2+Vref
而不是：
NEG侧的电压=（Vref+HVbatt）/Rn * Rf/Rn
您现在要计算下表第一列值是吗？
关于运放的资料，建议先看下面的 运算参数的详细解释和分析
https://e2echina.ti.com/support/amplifiers/f/amplifiers-forum/20214/ti-fae
根据需要再看 放大器经典问答和经验资料：https://e2echina.ti.com/support/amplifiers/f/amplifiers-forum/75037/thread
十分感谢你的回复，这些资料正是我迫切需要的，但仍旧没太看懂【原创】+运算放大器增益误差设计指南 - 放大器论坛 - 放大器 - E2E
设计支持 (ti.com)
可以帮忙举几个例子吗以下TIDA-01513 的4种试验结果分别如何通过计算得出？ （例如在正极漏电情况我代入有官方给出的公式并考虑Vos Ios Ib 后得出结论ISO POS依然等于2.52X 与2.606差距巨大暂搞不清是哪里带来的误差）此外能随便选一种情况帮忙列举下它的最好最坏输出电压范围如何计算的吗？ 感谢
情况1没有漏电
情况2正极漏电
情况3负极漏电
情况4在电池中点漏电
十分感谢
您所附截图表格都是测量值。
计算的话，我认为可以忽略运放输入失调电流和输入失调电压的影响，参考设计中计算时就没有考虑，而且所使用运放的输入失调电压电流都比较小。
参考设计中表 3-16也给出了正常情况下的计算值：
比如第一行，
HV_BATT=100.006V，Rps1 + Rps2 + Rns1 + Rns2总电阻为1.18MΩ*2=2.36MΩ，则漏电流为100.006V/2.36MΩ=0.042mA
但是从第二种情况开始电池正极漏电，电池正极接GND的情况，带入TI公式
ISO_POS=2.514 ISO_NEG=2.934 与表格中的测试值相差很大，这是因为什么造成的呢？
这种情况假设计算漏电流 Iriso=(Vpos-Vref)=0.000002,而实验结果却是=0.00002相差10倍
这个漏电流我表达的不准确，实际上我想说的是POS端高压接地由POS端Vref引起的电流：当高压电池正极接GND此时无论S2是否闭合流过Rps1与Rps2上的电流就是Vref/(Rps1+Rps2)同时在不考虑Ib情况下(Viso_pos-Vref)/rs1 =Vref/(Rps1+Rps2) =（2.606-2.505）/Rs1=0.00002 这个电流我认为它就是实验中由POS端Vref流过高压正极GND的电流。 对吗？
TI的实验中由POS端Vref造成的流经高压正极GND处的电流=Vref/(Rps1+Rps2) =（2.606-2.505）/1.2M=0.00002
另外计算误差较大问题这里Vref/(Rps1+Rps2) *Rs1+Vref=Iso_Pos 我考虑了Vos ib 与电阻最大值最小值情况甚至将他们乘以2倍但依然与TI实验数据相差较大，我想知道是什么参数引起的这种误差，人工能否计算出一个绝对边界值Iso_Pos （min）,Iso_Pos (max）将表3-2这种实验情况的所有误差都考虑进去。
另外有没有可能是TI的测试数据所用的电阻与原理图中3-1 或 3.2.6中的阻值不同？导致我的计算值与TI实验数据相差较大？
