1、使用过程中感觉DRV8301极其的脆弱,感觉非常容易损坏。参照官方推荐的电路设计了PCB,自己焊接了两块,交由专业焊接公司机贴了两块,自己焊接的两块板子上4片DRV8301(每块板子有使用两片DRV8301)全部损坏,焊接公司焊接的两块板子中也有一片DRV8301上电初始化后一直告警欠压(GVDD_UV);
2、当电源电压低于24V时,芯片就工作不正常,无法驱动电机(电机额定工作电压为36V);
3、过流保护不起作用,将8301内部OC_ADJ_SET寄存器设置为20时,启动电机,发现将DRV8301损坏了,而MOSFET却都正常,根据外部运放设计的检测回路,实际也没有到达预设保护的电流值;
4、当给DRV8301初始化时,发现SDO引脚输出的信号一直为高电平,无法读出数据;
5、当PCB板驱动同时两路电机时,其中的一片DRV8301会频繁告警,其状态寄存器的GVDD_OV、PVDD_UV、GVDD_UV、OTW、OSTD、FAULT同时为1,但是电机能够正常转动。
以上现象都是在同样的PCB板子上的实验。
您好!
能不能把损坏的DRV8301检查下看看是哪个部分损坏了?
我这边有12V供电的,工作都正常,这个要看一下原理图了。
其他的问题,请把原理图以及程序配置部分贴出来。
您好!
针对于DRV8301的Layout设计,我想咨询一下下面几个问题。
1、请问DRV8301芯片要与半桥的离得很近吗?(我们现在DRV8301和桥电路是分开在两块板子上的,中间用排针连接,板子上走线也较长);
2、去耦电容是要靠近DRV8301的芯片引脚还是要尽量靠近半桥顶点?
3、去耦电容容值比推荐电路要大,对DRV8301,没有影响吧?
4、使用DRV8301时,PVDD1和PVDD2之间接有一个二极管,不影响DRV8301的使用吧?
1. 这是个比较严重的问题,主要是芯片的电流保护监测是监测mos的Vds,这样会造成很大的寄生干扰信号,尤其是PVDD端,去耦电容放好会改善
2. 最好是DRV8301PVDD有独立的去耦电容,可以参考EVM和boostpack的设计,这个电容不用太大,到10u,再并联小的陶瓷0.1就可以了。每个半桥顶点的去耦电容是靠近半桥顶点放,可以参考DRV8303的EVM,和DRV8301用起来是一样的,不过这个EVM设计根据典型。
3. 没有影响
4. 不影响,一个是给Buck的,一个是给门驱动的