1、在这个IC里，是否每个mos都有续流二极管？能吸收多大的电流？DS好像没有说明。
2、我的应用中电机经常进行急停并反转，因此会有较大的反电动势，请问内部mos是否有足够能力吸收这个反电动势？（电机 电压3.5V 电流1.5A）
3、如果我在电机和电源之间、电机和地之间各加二极管是否能增强反电动势的吸收能力？这样做是否有必要？
希望得到专家们的解答，以便优化电路，谢谢
1. 这是MOS寄生管，每个都有。我们没有对这个管子参数进行spec标定。
2. 反电动势经由二极管到供电电源，是依赖电源上的电容/二极管吸收能量的。
3. 可以提高续流能力，但需要通过电源上的电容/二极管吸收反电动势。
尊敬的TI工程师：
您好！我在使用DRV8850做一款电机驱动产品，运动模式类似电动牙刷，需要电机振动，等于是电机一直在正反转切换。
我在测试电机两端电压发现，反电动式已经超过5V。（我的供电电压是锂电池3.7V，我没有外加续流二极管，开关频率是50KHZ）请问这种情况下芯片能可靠工作吗？我只知道这颗芯片的供电电压不能超过5.5V，假如反电动势超过5.5V，会不会影响寿命？
盼解答， 谢谢！
DRV8850的电源端最高耐压到7V，5.5V反电动势不会导致芯片损坏。
