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DRV8432经常烧毁PVDD管脚

user4478699

Prodigy 90 points

最近在测试DRV8432芯片，按照官网的EVM原理图连接线路，输出电感没接（不知道是否跟没接电感有关）在测试过程中经常烧毁PVDD管脚，今天已经是第三片了，模式用的M1M2M3为000，限流电阻选用的47k，PVDD有4个220UF并联的电容，不知为何老是烧毁PVDD，能让步进电机转起来，但是无缘无故就瞬间烧毁了，有遇到这种问题的前辈吗？如何避免？

0 Ricardo Li 8 年多前

TI__Intellectual 2885 points

PVDD-GND的耐压达到70V，PVDD的供电电压推荐值在50V以内，你的PVDD电压多大？电机烧毁是不是因为反向电动势。方便贴出你的原题图和PCB图吗？

0 user4478699 8 年多前回复 Ricardo Li

Prodigy 90 points

PVDD电压24V，有两次电机还没转就少了，上电顺序：1，输入四个PWM按照单4拍节拍输入PWM波，2，将RESET_AB和RESET_CD都接地，然后GVDD供12V电，接着给PVDD共24V电压，当我将RESET_AB和RESET_CD给3.3V电平时，芯片立马烧毁了。

我的图是按照TI官网EVM原理图接的，接的是洞洞板，检查过N多遍，电路连接没有错的。

0 Ricardo Li 8 年多前回复 user4478699

TI__Intellectual 2885 points

你的通道AB、CD之间是否有死区时间，FET的高边和低边不能同时打开，否则会烧毁管子，手册上给出的死区时间典型值是5.5ns.

你先不送PWM试一下，看会不会出故障。

0 user4478699 8 年多前回复 Ricardo Li

Prodigy 90 points

感谢指导，按照您的说法，加上死区时间已经没出现芯片烧毁现象了，之前我总认为芯片内部已经避免了死区时间，数据手册也看到有说道死区时间。感谢前辈！

0 user5913466 7 年多前回复 user4478699

Prodigy 60 points

有点不明白：以半桥A为例，PWM_A驱动半桥A，半桥A的高边和低边不能同时导通，需要加入死区时间。而仅有一路PWM信号来控制半桥，如何加入死区呢？

0 user5913466 7 年多前回复 user4478699

Prodigy 60 points

两个半桥之间需要加入死区时间吗？比如半桥A和B之间，以及半桥C和D之间？

0 Alvin Zheng 7 年多前回复 user5913466

TI__Genius 13080 points

上下半桥之间加入死区时间以避免直通。相与相（半桥）之间加入死区时间以提供电流衰减。
建议使用新的DRV887x系列，已经内置最小死区时间控制和电流衰减模式。

0 user5913466 7 年多前回复 Alvin Zheng

Prodigy 60 points

谢谢您的指导。最近几天在各种尝试下，DRV8432已经可以正常工作了。

再次感谢大家！