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DRV8323 驱动出错

x z
Prodigy 110 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8323, DRV8353

我现在使用DRV8323驱动三相电机，使用过程中发现8323报C相上管G极驱动故障，测试MOS并没有发现G极有问题，我屏蔽8323的错误，强制8323打PWM，示波器测量C相上管G极，发现驱动电压拉不上去（第一张图），下管驱动正常，尝试更换了新的MOS还是一样的情况，AB两相上下管驱动正常（第二张图），想请问这是哪里有问题了，附上电路，请帮忙解答

  • 0
    Prodigy 110 points

    AB相MOS上管G极波形如下，上面误删了

  • 0 回复 x z
    TI__Mastermind 33350 points

    请问您可以提供SPI寄存器设置吗？

    我们看到的最常见问题是将IDRIVE方式设置得过高（请参阅此E2E FAQ）。 Qgd / IDRIVE应该为50-300ns。

    DRV8323是65V abs max器件; 以54V nominal 运行该器件可能很危险。在超过DRV8323的绝对最大额定值之前，您需要有11V的裕度。电机在旋转时将导致电源增加和减少，并可能导致电压超过限制。TI还有其他类似DRV8353的设备，这些设备的额定工作电压更高，可在这些电压下工作。

    关于您在帖子中提到的一些表述，不确定我的理解是否正确（左边是您帖子中的表述，右边是我的理解）：

    • G极 --> gate drive" or "gate pin
    • C相上管--> "high-side gate on phase C, GHC"
    • 屏蔽8323的错误 --> " Set DIS_GDF to 0 to disable gate drive fault"
    • 下管驱动 --> "low side gate drive"

  • 0 回复 Annie Liu
    Prodigy 20 points

    您好：

    1、SPI寄存器设置

    IDRIVEN_HS/IDRIVEN_LS = 1360MA,

    IDRIVEP_HS = 120MA

    IDRIVEP_LS = 80MA

    TDRIVE = 4000NS

    DEAD_TIME = 400NS

    所用MOS的Qgd = 7nC

    如上我的配置对ABC三相都是一致的，为什么只有C相会有问题，我会降低IDRIVE再试一下

    2、上个帖子中的描述不够准确

    • G极 --> gate pin
    • C相上管-->  “the C high-side MOSFET"
    • 屏蔽8323的错误 --> " Set DIS_GDF to 0 to disable gate drive fault"
    • 下管驱动 --> " the low-side MOSFET"
  • 0 回复 x z
    TI__Mastermind 33350 points
    Qgd只有7nC, 您的IDRIVEP和IDRIVEN设置太高。 建议 rise rime为100-300ns（Qgd / IDRIVEP）， fall time为50-150ns（Qgd / IDRIVEN）。

    如果一相具有不同的布局或较长的走线，则将导致较高的parasitic inductance ，并且需要较慢的上升和下降时间以防止parasitic ringing。