我们有使用DRV8323RH来驱动我们的马达，线路如附件，目前我在空载时量测GH和GL端电压波形也见附件，我的理解是当上管NMOS VGS=0的时候，上管NMOS就关闭了，然后此时到下管VGS>0的时间为Δt死区时间，调整IDRIVE也可以调整死区时间，（从图中可以清楚看出，当idive floating时，NMOS关断时间变短，死区时间更长），这个是我的理解，不知道是否正确？
另外，我想请教下，为何上桥NMOS VGS=0关断了，但是此时VG=VS=VD=25V，并没有马上降下去（此电压死区时间一直维持），而是要等到下桥NMOS打开并到米勒时间才快速下降？r2011-c-v10_20201211.pdf
