CDCE62005: Programing Register time

Hello, why do you have 20ms?You could set SPI_LE to high, and after loaded the EEPROM, then to set the PULL_Down to high again. 

According to the datasheet, it also require EEPROM contents will eventually be copied into RAM after the Power Down State is exited.

Hello Kailyn, so I can do rising edge to Power_Down many times to wait 50ms to do「Copy RAM to EEPROM – Unlock」, that right ?

The 20ms is that everytime when I set SPI_LE to high and  set the PULL_Down to high, I just have 20ms to program register.

Hello,  SPI_LE must be at static high level before the /PDN goes to high level for the EEPROM loading into the registers. 

If the Power_Down has been pulled low and then rise up, I am not sure if the it would be interrupt to load. 

So I don't recommend it for this operation. 

Hello, I know that SPI_LE keep high before the PDN goes high, the EEPROM will load to RAM, and we can read the register value.

But now I want to write the register value to EEPROM, and it is fail everytime, the EEPROM value are alaways default.

Please help.

您好，方便理解，我们还是用中文沟通。现在是否保证了当EEPROM的内容加载到RAM中之后再将 Power down引脚拉高，这个时序呢？上述您的意思是时间不够，来不及等寄存器内容都加载进去，这个时序是要保证的，否则就像您现在得到的寄存器无法正确写入。

The CDCE62005 supports four commands issued by the Master via the SPI:

• Write to RAM • Read Command

• Copy RAM to EEPROM – unlock

• Copy RAM to EEPROM – lock

目前调试的方法建议，上电之后，读取下寄存器的默认值是否符合Table39的表格。

然后通过Power down有效，disable 输出，读取下这个bit是否起作用。 如果没问题，说明SPI 没问题。

好的，目前確實是在EEPROM載入到RAM之中在把Power Down引腳拉高，這時去讀Register確實為預設值，SPI是可以正常使用的。

但現在我想要將自行設定的值寫入EEPROM裡面，有先試過將數值寫入Register再讀出，確實為我寫入的數值。但在要寫入EEPROM時就會失敗了，我看Datasheet指示要執行「Copy RAM to EEPROM – unlock」這條指令後在等至少50ms，才能將Register的值寫入EEPROM裡。

而現在是每當我將PowerDown引腳拉高後，我只能在20ms內透過SPI對IC做讀跟寫，VCC會在20ms後被IC拉低，這時也無法在對IC做任何SPI的操作，自然將Register寫入EEPROM的指令還沒到50ms也被中斷了，也嘗試過就算VCC被拉低還是等到50ms在讀取EEPROM，卻還是初始的預設值。

想請問為什麼PowerDown引腳拉高後會只有20ms的操作時間嗎？

或是VCC為什麼會被IC拉低？

您好，PowerDown引脚拉高后，应该是器件退出了低功耗模式，进入正常工作状态，VCC不会被拉低才是正确的。　

VCC被拉低之后，此时您读取下Register 8 bit7 看是否进入sleep mode？ 

另外，您看下power supply上电启动时间的时序，是否满足Figure 32的时序要求呢。

您好，Poewr Supply的開機時序圖，tpul跟tpuh在資料裡貌似沒找到其所代表的數值，想請問在啟動時間裡他的時間長度為多少嗎？謝謝

下圖為我使用示波器為IC在VCC被拉低時的波型

在PowerDown做一次拉低在拉高在經過20ms VCC就被拉到0V

下圖為上電時VCC的波型

還請麻煩在幫我確認下此波型是否正常正確，謝謝

您好，還可以再拜託您協助解決問題嗎？謝謝

好的好的，不好意思，回复晚了，我会再看下这个问题。

麻煩您在協助了，謝謝

您好，上电时的VCC时序看起来是正确的。

上面第一个时序是不对的。我们要保证Power down引脚从低到高的变化时，SPI_LE处于逻辑高状态。上图VCC被拉低的时序和下面上电时没看到Power down的由低到高的变化过程。

SPI_LE has to be logic 1 before the Power_Down pin toggles low-to-high in order for the EEPROM to load properly.

建议是这样的，首先当VCC电压起来稳定之后将Power down由低到高，并且保证SPI_LE在power down引脚拉高之前为逻辑高状态，验证下时序是否正常。

如果VCC不被拉低，时序没问题，再给SPI clock信号，并且SPI_LE 和SPI_CLK要保证至少10ns的建立时间t1.

您好，這是我們包含SPI_LE跟PowerDown的波型，讀取到Register的資料確定是EEPROM的預設值。

但目前在執行指令「Copy RAM to EEPROM – unlock」卻無法將Register的值寫入EEPROM裡，想請問是什麼原因嗎？謝謝

您好，我讀取了該Register的Bit 6，其讀取的值為0，是否表示該IC的EEPROM還可以寫入呢？

是的，如果是0， 说明EEPROM 还未lock，还是允许写入的。

在执行Copy RAM to EEPROM这条指令时，一定要确保电源是稳定的，并且主机不能访问CDCE62005至少50ms的delay时间，从而保证EEPROM能够正确写入。

了解了，這邊有嘗試在執行指令Copy RAM to EEPROM後等待50ms，但現在發現在SPI_LE保持為高並將Power down由低到高進入SPI Write Mode後，經過20ms VCC就會自行拉低，使IC無法正常等待50ms。

所以現在只能在20ms內對SPI做操作，無法正常的執行完Copy RAM to EEPROM指令後等待50ms，請問這個問題要怎麼解決呢？謝謝

您好，有方法可以協助解決我的問題嗎？謝謝

您好，抱歉回复晚了。　我想您这边需要验证下一个时序，就是上电开始，POWER_DOWN是低电平，在上电过程中，当VCC电压起来到稳定之后，POWER＿ＤＯＷＮ由低到高变化，再看下这时候VCC是否由于POWER_DOWN的拉高，导致VCC拉低？如果VCC还被拉低的话，可能芯片坏了。

我看您电路中将SPI这几个引脚以及POWER_DOWN怎么都是直接接到VCC上的呢。

是的，感觉这个器件是有问题的，VCC上电后 ，Power down由低到高，芯片进入normal operation 状态，VCC不应该被拉低。

有尝试更换一片IC试试吗？

有再拿三片IC做測試，其中有兩片是未使用過的新料，但還是一樣會有Vcc被拉低的情況發生，想請問是否有硬體電路規劃或是軟體燒錄流程的範例可以參考的嗎？謝謝

硬件电路可直接参考CDCE62005的EVM user’s guide的Page10：

https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/scau024/scau024.pdf

抱歉没有软件烧录流程，但是可以借助于EVM GUI进行相关寄存器配置：

https://www.ti.com.cn/tool/cn/CDCE62005EVM

好的，瞭解了，我會在查閱相關資料並嘗試的。

另外請問還有其他方法可以解決我遇到的問題嗎？謝謝

购买EVM板验证下VCC的上电时序，或者官网上小批量的购买芯片重新验证下。

因为不给输入信号，只看上电时序，这是不正常的。

您是在哪儿购买的？

是客戶提供的，但看來應該是全新的IC。

還想再請問一下，腳位SYNC跟REF_SEL對IC也會有什麼樣的影響嗎？

在初始化時這兩隻腳位是否需要High或Low的設定，謝謝。