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关于DS90C363和DS90CF364芯片接法的若干疑问

Can Ou
Prodigy 30 points
Other Parts Discussed in Thread: DS90CF364, DS90C363

最近做一个项目用到DS90C363和DS90CF364芯片，经过反复调试始终不成功。Datasheet也没有详细的使用说明。有几点疑问：1、这两个芯片有多个Vcc和GND，用万用表测试，有一些Vcc是连通的，个别不是。GND也是这样。可不可以把所有的Vcc和GND分别都连在一起？ 2、DS90CF364的LVDS输入需不需要加100欧电阻？还是直接输入就OK？ 3、这两个芯片常用的接法是TTL->DS90C363->LVDS->DS90CF364->TTL（把TTL信号转换成LVDS传输），如果是LVDS->DS90CF364->TTL->DS90C363->LVDS（把LVDS转换成TTL信号传输）这样的接法行得通吗？

恳求各位回答！谢谢！Looking forward your response.Thank you so much!

  • 0
    TI__Genius 12445 points

    你好！

    1. 对于电源和GND，没有必要区分。在datasheet的 “POWER SOURCES SEQUENCE”章节有详细的介绍，只要在每个Vcc旁加去耦电容；

    2. 这样反接有一个问题，源端LVDS信号编码必须符合芯片的规则。另外请问下，这样用的目的是什么呢？我们做FPD-Link的目的就是因为长距离传输时，LVDS更简单，性能更优。

  • 0 回复 Wanda WANG
    Prodigy 30 points

    你好，

    谢谢你的答复！因为LVDS的传输速率太快了，很多IC都处理不了，而且信号输出端和接收端都已固定为LVDS信号。我这样反接是为了降低信号的传输频率，便于接入其它监控测量电路。

    不过我还是有几个疑问。

    1，DS90CF364接输入LVDS信号时需要接100~120欧电阻吗？还是364已经内置了？

    2，Vcc的去耦电容参考范围是？

    3,，DS90C363将LVDS信号转为TTL信号后频率是原来的多少倍？

    4，是不是每个厂家的LVDS信号编码都不一样？如果是的话怎么兼容呢？

    盼回复！万分感谢！

  • 0 回复 Can Ou
    TI__Genius 12445 points

    1. DS90CF364内部没有100Ω，需要外部加；

    2. 去耦电容没有特殊要求，我们通常用的0.1uF+10uF并联就ok；

    3. 这个有计算公式的，我找下资料给你看看。

    4. LVDS本身是没有编码这个说法的。这里讲的产品因为它是将RGB转为LVDS，即串并转换，因此就存在如何转换的问题，即某条并行数据线对应到串行数据的那个bit位。 所以你可以看到我们的产品都是成对使用的。