你好,在数据手册中并没有看见这款芯片的外部电路参考设计。请问它的VCCA、VCCB引脚是直接接到对应的VCC值就行吗?不需要额外加个电容滤波?如果需要的话麻烦给一下电容大小。我需要将一个低电平为0V高电平为2.5V的方波(频率为80MHz)进行电平转换,转换成0~1.8V的方波,也即高电平为1.8V低电平为0V的方波(频率为80M)。
下图是数据手册中的测试负载电路。按照我的理解就是芯片的VCCA、B引脚直接接在对应的VCC就行,不需要额外加电容。然后数据输出引脚需要加一个电容CL进行滤波就行

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你好,在数据手册中并没有看见这款芯片的外部电路参考设计。请问它的VCCA、VCCB引脚是直接接到对应的VCC值就行吗?不需要额外加个电容滤波?如果需要的话麻烦给一下电容大小。我需要将一个低电平为0V高电平为2.5V的方波(频率为80MHz)进行电平转换,转换成0~1.8V的方波,也即高电平为1.8V低电平为0V的方波(频率为80M)。
下图是数据手册中的测试负载电路。按照我的理解就是芯片的VCCA、B引脚直接接在对应的VCC就行,不需要额外加电容。然后数据输出引脚需要加一个电容CL进行滤波就行

您好,电源是需要旁路电容的,通常来说,如果器件只有一个供电电源,0.1uF的电容就够用了。
如果是多个供电电源,则每个电源都使用一个0.022uF的旁路电容就可以了,并且注意旁路电容要靠近电源端。
下面是一篇关于CMOS器件的电源如何选择旁路电路的FAQ,讲解的非常详细,并且在最后介绍了选取旁路电容的两个标准,您可以参考下:
那如果DIR引脚要上拉到VCCA的话,上拉电阻的取值要多大呢?已知VCCA选取2.5V。
DIR直接接到VCCA或者通过上拉电阻都可以。上拉阻值通常为10K。
并且数据输出引脚是否按照LOAD CIRCUIT(可见上一问题的图片)那样设置即可,即增加一个CL电容就行
输出引脚不需要加负载电容,datasheet只是模拟在一定的容性负载条件下进行的测试,那实际电路也是会存在寄生电容的。