使用SN74LXC8T245PWR逻辑芯片在上电过程中存在20US的高电平。
1、供电情况：VCCA（+3.3V）由VCCB(+5Vdc)通过LM26420XMH芯片产生；
2、数据方向：Data-A到Data-B；
3、Data-A采用10K电阻下拉；
以下是上电过程中VCCA/VCCB/A8/B8同步的波形：
这个上电中的脉冲高电平是怎么产生的？是哪地方设计不合理吗？
谢谢。
使用SN74LXC8T245PWR逻辑芯片在上电过程中存在20US的高电平。
1、供电情况：VCCA（+3.3V）由VCCB(+5Vdc)通过LM26420XMH芯片产生；
2、数据方向：Data-A到Data-B；
3、Data-A采用10K电阻下拉；
以下是上电过程中VCCA/VCCB/A8/B8同步的波形：
这个上电中的脉冲高电平是怎么产生的？是哪地方设计不合理吗？
谢谢。
感谢您对TI产品的关注！
关于你的咨询，SN74LXC8T245内部有pull dow电阻，你可以不用接pull dow看下。
另外，OE别直接接GND，通过10k ohm接GND。
DIR通过10Kohm接VCCA。
