请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：OPA860 工具/软件：
大家好！
我目前正在针对将 OPA860配置为通用基底放大器且其噪声性能非常重要的应用评估该器件。
查看数据表、我了解我关心的噪声规格是发射极噪声电流。 有趣的是、在图 在数据表的23中、我可以看到、当 Radj 值较高时、这个噪声电流会增加、而当偏置电流较高时、这个噪声电流会减小。
从我对 OPA860内部结构的理解(来自数据表以及电子器件艺术的第2.3.6节)可以看出、由于其基极接地、它基本上充当互补 PNP 和 NPN 公共基极电路、适用 Zin 与电流噪声的经典折衷(即较高的偏置电流意味着较高的 Gm 意味着较低的 Zin、但噪声性能较差)。 相反、似乎使用 OPA860、需要同时实现较低的输入阻抗和较低的发射极电流噪声！
这是正确的吗？ 如果是、在任何地方都有如何实现这一目标的提示吗？ 如果没有,我错过了什么?
感谢您的帮助！
Cai
