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[参考译文] LM193：最大反向电流值和耐受时间

admin
Guru**** 2342560 points
Other Parts Discussed in Thread: LM193, LM339, LM393
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1511845/lm193-maximum-reverse-current-value-and-withstand-time

器件型号：LM193
主题中讨论的其他器件： LM339、 LM393

工具/软件：

尊敬的专家：

我们正在评估运算放大器 LM193DR、并且想知道芯片在负输入情况下可以承受的最大反向电流。 这是否为参考规格中的 IIk 值(-50mA)？ 在这个电流下、芯片能够承受多长时间而不会出现故障？ 您是否有任何数据需要提供？ 谢谢您~

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    是、IIK 指定了输入钳位电流的限值。 另请参阅脚注(1)："长时间处于绝对最大额定条件下会影响器件的可靠性。"

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    您好 Collin、

    因为-50mA 是可能的、请想象-1mA 有多安全。 应该很容易降低到这个电流。

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    亲爱的

    感谢您的答复。

    LM193DR 和 TL331QDBVRQ1芯片目前是否仍采用旧设计？ 内部端口是否没有 ESD 保护、如下图所示？ 此 ESD 保护结构是否仅适用于版本 B 的车型？ 谢谢你

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    Colin、

    Unknown 说：
    LM193DR 和 TL331QDBVRQ1芯片目前是否仍在旧设计中？

    并非全部、请参阅本应用手册的 PCN 部分： [应用]具有 LM339/LM393内核的器件设计指南

    旧设计没有特定于 ESD 的结构(唯一用途是 ESD、不具备任何比较器电路功能)。 旧设计的 ESD 保护来自更大的元件、晶体管和电阻器。

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    您好 Colin、

    虽然-50mA 不会造成*损坏*、但我们不能说比较器在此期间将正常工作。 当电流流动时、任何通道上的输出都可能不正确。

    在50mA 处、寄生结处于活动状态。 这些连接点可以通过基板相互"交谈"、甚至可以进入其他通道。

    正如 Ron 所说的、我们建议将任何故障电流保持在1mA 以下或更低。

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    您好、Paul：

    我已经查看了 Ron 提供的应用文档、仍然感到有点困惑。 我在 LM193数据手册中看到了参数 IIK、如下图所示。 可以解释一下、LM193的内部输入引脚是否配备了 ESD？

    此外、对于 B 版本器件还是所有采用 Ji3和 TiB 工艺的 LM339系列芯片、应用手册第6.2节中的输入原理图是如何实现的？ 在两种工艺的输入端均添加了 ESD？

    谢谢你

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    Colin、

    数十年来、我们销售的几乎每一个集成电路都在引脚与负电源之间连接一个二极管、因为大多数 IC 都具有共同(共享)的 P 型掺杂基板。 连接到 N 型掺杂元件的引脚使该二极管完整。 负电流既不会证明也不会否定 ESD 单元。

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    TI__Guru**** 2342560 points
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    您好 Colin、

    最初的"经典"LM393系列没有专用的 ESD 单元、而只是 Ron 所描述的"体"二极管。 ESD"稳健性"只是旧工艺中器件尺寸较大的结果。

    "B"和 PCN'Ed Ji3或 TiB 非 B 器件现在在输入端具有专用的 ESD 单元。

    体二极管和 ESD 单元并非真正设计用于在绝对最大电平下持续电流(无法散热)、因此我们建议将电流保持在最低水平(< 1mA best)。