[参考译文] LM193：最大反向电流值和耐受时间

您好 Collin、

因为-50mA 是可能的、请想象-1mA 有多安全。 应该很容易降低到这个电流。

亲爱的

感谢您的答复。

LM193DR 和 TL331QDBVRQ1芯片目前是否仍采用旧设计？ 内部端口是否没有 ESD 保护、如下图所示？ 此 ESD 保护结构是否仅适用于版本 B 的车型？ 谢谢你

Colin、

Unknown 说：

LM193DR 和 TL331QDBVRQ1芯片目前是否仍在旧设计中？

并非全部、请参阅本应用手册的 PCN 部分： [应用]具有 LM339/LM393内核的器件设计指南

旧设计没有特定于 ESD 的结构(唯一用途是 ESD、不具备任何比较器电路功能)。 旧设计的 ESD 保护来自更大的元件、晶体管和电阻器。

您好、Paul：

我已经查看了 Ron 提供的应用文档、仍然感到有点困惑。 我在 LM193数据手册中看到了参数 IIK、如下图所示。 可以解释一下、LM193的内部输入引脚是否配备了 ESD？

此外、对于 B 版本器件还是所有采用 Ji3和 TiB 工艺的 LM339系列芯片、应用手册第6.2节中的输入原理图是如何实现的？ 在两种工艺的输入端均添加了 ESD？

谢谢你

Colin、

数十年来、我们销售的几乎每一个集成电路都在引脚与负电源之间连接一个二极管、因为大多数 IC 都具有共同(共享)的 P 型掺杂基板。 连接到 N 型掺杂元件的引脚使该二极管完整。 负电流既不会证明也不会否定 ESD 单元。