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器件型号：JFE2140Thread： JFE150 中讨论的其他器件
工具/软件：
JFE2140 和 JFE150 是仅有具有已发布电流噪声密度的 JFET。 我可以假设发布的电流密度与频率无关吗？ 您能介绍一下电流噪声频率相关测量的合适设置吗？ 谢谢你
工具/软件：
JFE2140 和 JFE150 是仅有具有已发布电流噪声密度的 JFET。 我可以假设发布的电流密度与频率无关吗？ 您能介绍一下电流噪声频率相关测量的合适设置吗？ 谢谢你
尊敬的 Dimitri：
电流噪声密度与频率相关、但在宽带区域保持不变、如下所示。 可以使用我设计的 JFE150 或 JFE2140 EVM 来测量噪声。 我编写了两个应用手册、详细介绍了每个电路的工作原理。
EVM：
应用手册：
对于这些电路上的噪声测量、使用电池或非常干净的电源非常重要。 还建议对电源线进行滤波。
此致、
Chris Featherstone
尊敬的 Dimitri：
我与 Art 交谈,他推荐集总模型。 他没有考虑分布式模型方法。 由于电压噪声和输入电容、电流噪声将取决于频率、如下所示：
IN = Xc/(Xc)；Vn 随频率降低、因此电流噪声随频率升高。
我应该指出的另一点是、使用分立式 JFET 可能有点棘手、那就是当 Vds 高于 5V 时、偏置电流会变得非常高。 低频电流噪声取决于偏置电流。
此外、当 IDS 高于 10mA 时、电压噪声也会升高。 如果 VDS 和 IDS 在这些地区运行、这可能会使水域变得泥泞。
我希望这些信息对您有所帮助。 如果需要任何澄清、请告诉我。
此致、
Chris Featherstone
您好、Chris、
这种测量设置是否正确？
1) 使用 SMU1 设置 VDS
2) 通过 SMU2 设置 ID
3) 借助交流电源、测量频率响应并计算 Z、在 GATE (R||(Cparasitic + Cgs + CGD) 和级增益下看到
4) 使用 FFT 框测量噪声
5) 取测得的噪声、除以阻抗、频率和增益
6) 后处理产生的电流噪声、以消除电阻器 R 噪声电流的影响
谢谢！
尊敬的 Dimitri：
这是设置、但是处于开环中、进行该测量的同事说、他更喜欢我的应用手册中的闭环解决方案、因为增益是可预测的、不依赖于 JFET 的 gm。 用于收集 PDS 数据的电路显示在 JFE150 PDS 中：
下面是有关闭环电路的应用手册、您可以在其中设置可预测的增益。 本应用手册适用于您上面显示的单个 JFET 设置。 我为 JFE150 编写了该图、但当使用 JFE2140 中的单个 JFE 时、电路分析是相同的。
对于 JFE2140、我为稍微相似的电路编写了应用手册。
需要注意的一点是、您需要在电源线路上进行大量滤波、或使用非常干净的电源。 JFET 上的 PSRR 为零、任何电源噪声都会扰乱测量。 我在 EVM 上的噪声测量是在上电后等待 20 分钟后完成的、以便重电源滤波的长 RC 时间恒定稳定下来。 我们甚至用电池完成了这一操作。
此外、使用示波器求平均值很重要、Art Kay 在以下功率点对此进行了演示。 他还展示了使用油漆罐将电路与环境隔离的方法。 房间内的照明等情况会将噪声耦合到电路中、从而影响测量。 总而言之、在进行噪声测量时应特别注意。
e2e.ti.com/.../Op_2D00_Amp-Noise-and-Measurment_5F00_Oct_5F00_2013-_2800_1_2900_.pdf
此致、
Chris Featherstone
