[参考译文] JFE150：寻找用于 ECM 麦克风的 N 沟道 JFET

感谢您发送编修。 实际上、距离在 TI.com 上推出处于预发布状态的新 N 沟道 JFET 仅几周的时间。 因为这只是几个星期的时间,我可以提供几个细节:

双单片 N-JFET、每个都具有 325uA 的 IDSS

自偏置（二极管）栅极、适用于 ECM 应用、最小输入阻抗>4G Ω

0.6pF CISS（每个 JFET）

封装尺寸：0.8mm x 1mm

我将在产品发布到 TI.com 上并对其进行样片更新时更新此主题。 关于您对失效模式的疑问、我首先想到的是栅极的 ESD 损坏。 我个人没在 TI 器件上看到这个问题、但大多数分立式 JFET 都没有 ESD 保护。 对于大型（高 IDSS） JFET）JFET、这通常不是问题、但用于 ECM 应用的低电容 JFET 容易受到 ESD 损坏。  

您好、Nick、

您可以在靠近 JFET 栅极的位置添加一个 ESD 二极管、同时进行一些权衡。

• ESD 二极管将向栅极增加额外的电容
• 二极管也有泄漏电流。 如果温度足够大、则可能会改变栅极上的偏置、从而改变 JFET 电路的偏置。 这在温度范围内更是如此、可能会导致增益发生变化。  
• 本底噪声可能会增加。  

您可能会发现一个 ESD 二极管具有大约 0.5 pF 或更低的电压、从而更大限度地减少这些影响。  

此致、  

Chris Featherstone