[参考译文] TAS2572EVM：适用于 H 类跟踪模式的 TAS2572 升压失败

抱歉、更新信息：

我们无法使 H 类模式在 TAS2572（smartPA、1S 电池、VBAT=3.9V、1µH、8Ω 负载）上工作。

症状：

• BST_CFG_02 (0x22)= 0x23（H 类）+任何 VBOOST_MAX_CTRL（测试的 0x5B/6V 和 0xA7/11V）→PVDD 在 0dBFS 播放期间保持在 VBAT 电平
• BST_CFG_02 (0x22)= 0xA3（常开）→PVDD 可正确斜升至目标电压
• 固件 (tas2572RCA1.bin) 加载成功；音频播放在常开模式下工作

我们对数据表的理解（第 7.3.1.3.4 节）： H 类要求通过 PPC3 软件根据系统级参数（VBOOST_MAX、C_OUT、GAIN、BST_ILIM，电感器值）配置 CLASSH_TUNING_x[23：0]寄存器。

问题：

1. CLASSH_TUNING 寄存器的默认复位值是否足以使 H 类在默认 VBOOST_MAX=0xA7 下运行？
2. 如果没有、您能否为我们的配置提供 PPC3 生成的 CLASSH_TUNING 值：1s、VBAT=3.9V、L=3.9V 1µH、10µF、VBOOST_MAX=6V (0x5B)、 BST_ILIM=默认值、增益= 21dBV、8Ω 负载？
3. 或者、您是否可以共享 PPC3 软件访问权限、这样我们就可以自行生成这些参数？

硬件参数（用于 PPC3 计算）

##硬件参数（用于 PPC3 计算）

|参数|值|
|----- |----- |
|升压电感器 (L16)| 1µH、0805 |
| PVDD 输出电容器| 20µF TOTAL (C210 + C211 = 2× 10µF、0603、X5R、25V)|
|去耦电容器 (C209)| 100nF、0201、X5R、25V |
| VBOOST_MAX 目标| 6V (0x3B = 0x5B)|
| BST_MODE | H 类 (0x22 = 0x23)|
|扬声器负载| 8Ω|
|最大输出功率| 1.2W |
| VBAT 范围|[请确认：1S 锂离子 3.4V–4.4V]|

##请求

1.请为我们的配置提供完整的**由 PPC3 生成的寄存器值**、特别是：
- CLASSH_TUNING_01 ~ CLASSH_TUNING_15
- boost_tuning_01 ~ boost_tuning_11
-针对 1µH / 20µF /6V 配置的 BST_ILIM 建议

尊敬的 Wangqin：

TAS2572 的升压可在 VBAT=3.9V 的条件下正常工作。  

但我似乎您的器件无法按预期工作。 您能共享您的配置吗？ 您是从 PPC3 生成的、还是仅在其他地方获取？

我们可以首先检查是否有任何寄存器问题。

BR、

Wenbin

尊敬的 Wenbin：

感谢您的快速响应。

回答您的问题： 不可以、我们没有使用 PPC3 生成配置（我们没有此工具）。 我们仅根据数据表手动修改以下两个寄存器：

电流寄存器配置

尊敬的 Wenbin：

感谢您的快速响应。

回答您的问题：**否、我们没有使用 PPC3 生成配置。**我们仅根据数据表手动修改了以下两个寄存器：

##我们的当前寄存器配置

|注册|地址|值|目的|
|----- |----- |----- |----- |
| BST_CFG_02 | 0x22 | 0x23（H 类）/0xA3（常开）|升压模式选择|
| BST_CFG_05 | 0x3B | 0x5B（6V 目标）| VBOOST_MAX 设置|

所有其他寄存器保持**默认（复位）值**、包括：
- CLASSH_TUNING_01 ~ 15→所有默认值
- boost_tuning_01 ~ 11→所有默认值
- BST_ILIM→默认设置

观察到的##行为

|模式|寄存器 0x22 |结果|
|----- |----- |----- |
|常开| 0xA3 |  工作—PVDD 达到 6V |
| H 类| 0x23 | Ω 故障—PVDD 保持在 VBAT 电平|
| H 类（默认值为 11V）| 0x23 + 0x3B=0xA7 |  也失败—PVDD 保持在 VBAT |

##硬件参数

-** VBAT：** 3.9V（1S 锂离子电池）
-**升压电感器 (L16 ):** 1µH、0805
-** PVDD×电容器：** 20µF 总计 (C210 + C211 = 2 μ F 10µF、0603、X5R、25V)
-**去耦电容器 (C209)：** 100nF、0201、X5R、25V
-**扬声器:** 8Ω、最大 1.2W

##我们的问题

1.我们根据数据表了解、当 VBOOST_MAX 发生变化时、需要重新计算 CLASSH_TUNING_xx 寄存器。 您能否为我们的硬件配置 (L=PPC3 1µH、C_PVDD=VBAT=6V 20µF、VBOOST_MAX=6V、VBAT=3.9V) 提供** PPC3 生成的寄存器转储**？

2.但是,我们也在没有更改任何其他寄存器的情况下使用**默认 0x3B = 0xA7 (11V)**进行了测试,而且 H 类仍然不起作用。 在这种情况下、所有调优寄存器在其复位值下仍然有效、那么为什么 H 类仍然失败？

3.对于 H 类模式、是否可能缺少任何**初始化序列要求**或额外的使能位？

如果您需要我们器件的完整寄存器转储、请告知我们以供进一步分析。

尊敬的 Wangqin：

通常、您应该从 TI 获取驱动程序代码、它将包含一个默认的 init bin 文件。  

我不知道您为什么使用这样的芯片（只需在没有 init 文件的情况下设置几个存储器）。

如果您需要、可以让 TI SW 工程师来提供驱动程序代码。

BR、

Wenbin

是的、请让 TI SW 工程师为我们提供驱动程序代码和适当的 init bin 文件。 这将非常有帮助。

如需 SW 工程师参考、以下是我们的硬件配置：

尊敬的 Wenbin：

感谢您的澄清。 很有道理。

目前、我们使用** Bin File Generator (v1.4.2)**来创建 init bin、并且仅根据数据表手动配置一组有限的寄存器。 我们没有完整的 TI 驱动程序代码或包含完整 H 类调优参数的默认 init bin 文件。

**是的、请让 TI SW 工程师为我们提供驱动程序代码和适当的 init bin 文件。*这会很有帮助。

如需 SW 工程师参考、以下是我们的硬件配置：

|参数|值|
|----- |----- |
|平台| MTK MT8169 (Linux)|
|升压电感器 (L16)| 1µH、0805 |
| PVDD 输出电容器| 20µF (2× 10µF、0603、X5R、25V)|
| VBOOST_MAX 目标| 6V |
| VBAT | 3.9V（1S 锂离子电池）|
|扬声器| 8Ω、最大 1.2W |
|音频接口| I2S/TDM |
|采样率| 48kHz |
|控制接口| I2C |

我们需要尽快解决这个问题。 请告诉我我们是否还有其他需要。 谢谢！

此致、
Wanqin

我从您提供的配置生成中上传我们的文件箱,然后我们更改了 类中的值,但不起作用！ 提供的基础版本。

e2e.ti.com/.../tas2572_2D00_json_2D00_bin.zipe2e.ti.com/.../tas2572_2D00_json_2D00_bin_2D00_base.zip

你（们）好

我已经聘请了软件专家来完成这一主题

BR、

Wenbin

好的、、谢谢

这一问题十分紧迫、请帮助我们尽快研究。 非常感谢！

Linux 驱动程序链接 (tidrive.ext.ti.com/.../44a3f155-a8d4-46c0-9cb0-73aa25487dc3

访问代码： C/44p3jq

为什么您发送 amp drv 代码？我们已经从您提供的代码移植了编解码器 drv 代码。我们测试了基本代码。而 classh 遍历无效。

关于当前状态：TI @Wu、Zerunhas已经分析了我们提供的寄存器转储、并确定我们的增益设置为 21dB (0x07=0x00)。 由于 21dB 增益对应于 15.8V 峰值输出电压、该电压会超过任何升压 Vmax 设置（即使是最大 13V）、因此这会导致严重的削波、从而对 H 类算法的行为产生负面影响。

我们改变了音量增益,也无法回放 0dBfs 信号, pvdd 不会斜升.equals vbat。

让我转移彼得

您好、Wangqin、

首先、较高的增益可能会导致削波、但不会影响增强功能。 但是、如果削波导致 OC 或其他问题、芯片组将停止工作、升压当然将停止。 要验证这一点、您只需将负载悬空并仅测试升压电压。

关于新的驱动程序代码、这是因为您提到您没有对此芯片组进行任何初始化处理。 这不是之前任何项目的正常处理流程。

似乎有更不清楚的事情,你能让 FAE 参与并组织一个会议吗?

谢谢、

BR、

Wenbin

ZE run 已经检查了我们的波形、这些波形通过 classd out p/n、Vpeak 和 out 功率进行了测试。 它是外置扬声器、只有 AP 音频分析仪。

另一个,为什么我们改变了常开模式,工作正常?

请参阅这些波形：0x07=0x0A、0x3B=0xA7

您说过与 此芯片组的初始化处理有关吗？您怎么说？我不明白 您为什么这么说？

TI 提供的所有编解码器 drv 和芯片组 bin 都向我们发送了配置、并生成用于刷写的 bin。

尊敬的 Wanqin：  

我检查了输出波形、似乎输出幅度很小（峰值仅为~350mV）、因此 H 类通常不需要升压至更高的电压来保持所需的输出功率。 此外、我检查了测试信号、发现它实际上不是 0dBFS 1kHz 正弦波、而只是振幅为–24dB RMS（–21dB 峰值）。 在执行输出功率测试之前、测试工程师是否验证了测试信号振幅？ 谢谢。    

此致、

彼得

我来检查音频信号的来源。

e2e.ti.com/.../0dBFS_5F00_1kHz_5F00_48k_5F00_16bit_5F00_stereo_5F00_60s_5F00_new.wavWe将使用更正后的测试 results.ca更新您。n 您可以借助此信号、我生成了–3dB、

 7 伏是对的？

使用适当的 0dBFS 输入、PVDD 按照预期斜升、放大器提供全输出功率。

请确认：

1. 这些输出电平是否与这些配置的预期一致？

2. 对于我们的最终应用（扬声器最大值 1.2W @ 8Ω、要求 Vrms = 3.10V）、您会建议使用什么增益设置 (0x07) 和 VBOOST_MAX (0x3B) 组合？

谢谢、Wanqin

感谢您的详细说明。 我们现在了解了建议 — 使用具有 IV 检测保护功能的更高增益+更高 PVDD 以及 PPC3 限制器/DRC 来控制输出功率、而不是限制 PVDD 本身。

两个后续问题：

1. H 类模式问题：我们发现 H 类 (BST_MODE=0x00、0x22=0x23) 不会在播放期间斜升 PVDD — 它保持在 VBAT 电平。 仅常开模式 (BST_MODE=0x10、0x22=0xA3) 工作。 我们使用 0x3B=0xA7 和 0x3B=0x5B 进行了测试。 H 类是否需要来自 PPC3 的特定 CLASSH_TUNING_xx 寄存器值才能运行？ 您能否为我们的系统提供 PPC3 调优参数（1S、VBAT=3.9V、1.5µH、8Ω）？

2. PPC3 访问：您是否可以提供 PPC3 软件访问权限、以便我们可以为我们的配置生成调优参数（CLASSH_TUNING、限制器、DRC 等）？

我们的系统参数：

• 电池：1s 锂离子电池、VBAT = 3.0V ~ 4.2V
• 电感器：1.5µH (L16)
• 负载：8Ω、扬声器额定功率 0.8W /最大 1.2W
• 首选配置：0x07=0x08、0x3B=0xC5（根据您的建议）

谢谢、Wanqin

是的、谢谢、您能将 PWM 参数发送出去吗？