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部件号：TLV521尊敬的先生/女士
在数据表的8.1 1节中，它讨论了驱动电容负载。 表1中的状态是，在单位增益配置中，50pF负载需要154k隔离电阻(Riso)。 但是，10nF电容器需要的Riso要小得多，为13.3k？ 这毫无意义，为什么较大的电容器需要较小的串联隔离电阻器。 这些微功耗运算放大器上是否有一个方框图或教程，因为它们似乎有特殊行为？
巴西
Edward
您好，Edward，
嗯，这是真的：
e2e.ti.com/.../edward_5F00_tlv521.TSC
Kai
嗨，Edward，
我们在产品页面上提供了一个型号：
这是你的意思吗？
我还有一张有关毫微功率运算放大器的培训幻灯片，如果它有助于理解：
祝你一切顺利，
Carolina
您好，Edward，
Nanopower OpAmps设计为消耗超低电源电流。 为此，必须作出一些妥协。 不幸的是，TLV521的开环输出阻抗看起来具有高度的感应性(0.8 ...0.8H)。 此电感与任何外部电容负载谐振，并通过在反馈回路中引入增益和重相干扰来破坏OPAMP的稳定性。 这将破坏相位余量并导致振荡。 为了保持OPAMP稳定，必须通过引入合适的阻尼来抑制此共振。 要抑制LC系列振荡，R必须填充几何关系：
R > SQRT (2L/C)
因此，当C降低时，R必须增加，反之亦然，前提是L几乎是恒定的。
以下TINA-TI模拟显示了添加100pF的外部负载电容时TLV521的开环输出阻抗：
从相位响应和从90°到-90°的尖锐相位跳起，可以清楚地看到LC共振。 通过Thomson公式，电感可估计约为0.86H。 从上述关系中，可以估计R可完全抑制共振。 我得到的131k非常接近数据表中给出的118k：
此处是10nF电容负载：
e2e.ti.com/.../edward_5F00_tlv521_5F00_30.TSC
如您所见，为了保持OPAMP稳定，电容负载和阻尼电阻必须在此处起到缓冲作用。 这说明了当C降低时R必须增加的原因，反之亦然。
Kai
大家好，
是的，这种统计方法在许多情况下可能是合理的。 但对于专业产品，您需要最大规格。 我们销售的产品板包含30个运算放大器(顺便说一句，全部来自TI )。 如果只有一个OPAMP正在向不同的鼓手行进，则整个板可能会被扔到垃圾箱中。
比较TLV521和LPV521的数据表中有关输入偏置电流的信息。例如：
查看温度极端值时典型值和最大值与最大值之间的巨大差异。 统计方法在此处如何帮助确定预期的TLV521最大值？ 我从类似的运算放大器了解到，极端温度下的输入偏置电流可以在NA范围内。 那么，我应该为TLV521假设什么？ 100pA？ 1nA？ 或10nA？ 从我看来，这是不可能的。 这就是为什么对于专业电路设计师来说，指定的最大数据在数据表中如此重要。
下面是Marek LIS关于长期漂移的一篇很好的文章，顺便说一句：
Kai
