[参考译文] 高转换率直流电子负载的运算放大器

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Other Parts Discussed in Thread: LMH6703

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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/567153/op-amp-for-high-slew-rate-dc-electronic-load

在“线程：LMH6703”中讨论的其他部件

大家好，

我正在设计一个高转换率直流电子负载，其中一个电压反馈运算放大器驱动一个功率MOSFET (在饱和模式下改变其电阻并散热)。这是它的主要目标

工作是设计高转换率负载(电流阱)。

我对上述情况有两点怀疑。

运算放大器上的输入控制电压转换率是否确定通过MOSFET的输出电流转换率

2.我们是否需要饱和模式栅极驱动器来实现上述目标。

是否有可用的FET驱动器(在饱和区域操作MOSFET)。

我认为 ，使用运算放大器驱动MOSFET不会产生所需的高转换率(因为FET的输入电流不足以为的输入电容充电

MOSFET。

如果我错了，请纠正我，并提前感谢您

此致

Manjunath i

8 年多前

0 admin 8 年多前

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Manjunath您好！

您是否研究过使用GAN FET？栅电容显著减小。

我们的电流反馈放大器将提供具有较大电压波动的最佳转换速率。驱动大电容需要特别注意稳定性。

例如，我不会将FET置于反馈回路中。

您可能需要查看LMH6703。速度非常快。

此致，

Loren

此致，

Loren

0 admin 8 年多前

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您好，Loren，感谢您的回复

当我在MOSFET论坛上发布相同的查询时，我得到了以下的回复。请您对此提供更多见解。

此致曼努纳特一

0 admin 8 年多前

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Manjunath您好！

GaN FET的另一个优点是PCB接口。大多数GAN FET作为裸芯片出售，直接焊接到印刷电路板上。这将降低FET和PCB的电感。

我们的运算放大器没有一个专门设计为FET驱动器，我认为我们的FET驱动器应用说明中的大部分都是关于开关电源的。

www.ti.com/.../snva723.pdf

您似乎需要线性操作，这是否正确？

此致，
Loren

0 admin 8 年多前

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您好Loren：

感谢您的回复。

它用于操作的饱和模式(又称线性模式)。使用FET的唯一目的是吸收负载(或消散)。通过FET的电流应尽可能快地上升，以便我可以实现最大转换速率。有几个因素决定了这一点

1.如.Qgs和Qgd. 为了使FET达到所需的电压，应尽快为CGS充电。对于此问题，Qgs应低至，而IG应高。 Qgd也应该为低。运算放大器输出电流决定了这一点。

2. MOSFET路径的电感应低，所以我要用SMT封装。并注意热力方面。

我担心的是，如果不使用栅极驱动器，我是否能够实现这一点。是否有任何可用的栅极驱动用于FET的饱和操作模式(而不是大量可用的开关模式)。

此外，您认为上述绘制的电路是否有效？很高兴听到任何修改/补充。

谢谢你
此致
Manjunath i

放大器（参考译文帖）

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[参考译文] 高转换率直流电子负载的运算放大器