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部件号：JFE2140 您好，
我们的客户尝试将JFE2140用于专业音频设备。
这是一个问题，我们可以看到线对匹配非常好，如图6-10中的Vgs不匹配直方图。
因为它放置在同一硅芯片上并使用附近的细胞，而不像旧的离散对JFET。
GM如何匹配？ 我们是否可以期望Vgs直方图的级别相似？
此致，
Mochizuki
您好，Mochizuki-san
很乐意再次听到您的声音。
是的，GM 电压和夹断电压是密切相关的，实际上给出了描述此情况的公式(在Sedra/Smith中)：
您可以使用数据表值计算4 mV不匹配的理论效果。 使用VGS =- 0.6 V (IDSS = 18 mA，VP = VGSC = - 1.15)计算出的2 mA IDS的GM是14.97 MS，如果对VGS =- 0.596 V使用相同的计算，则产生的GM是15.08 MS，这将产生大约1.5 % 错误。 当然，其他参数也会因器件而略有不同，而且实际JFET也有一些差异，这些差异未在上述方程式中记录，但它应该说明VGS不匹配和GM不匹配确实存在密切的相关性。 如您所述，这是配对设备的众多优势之一。
我希望这有助于澄清。
此致，
Mike