[参考译文] TLV3603：用于比较器的高共模输入，无GND参照。

您好，Vishal，

我无法阅读您的示意图。 您能建立一些联系吗？

Kai

您好，Vishal，

感谢您的帖子。 我想了解您在使用TLV3601时遇到了哪些问题。 我猜这是您正在使用的比较器，因为您所附的示意图很难像Kai所说的那样阅读。 我看到您正在使用双极性高压信号输入上建议的3电阻器网络。 您能否重新附加模拟/原理图并解释比较器的问题？

此致，

乔

应用工程师

线性放大器业务单元|比较器产品线(CMPS)

本通信和任何相关通信中的所有信息均按“原样”和“无缺陷”提供，并受TI重要通知(http://www.ti.com/corp/docs/legal/important-notice.shtml)的约束

您好，Vishal，

就像跟进一样，低FET如何在栅极和源电位相同的情况下打开？ 这是您在模拟中关闭MOSFET的意思吗？

此致，

乔

应用工程师

线性放大器业务单元|比较器产品线(CMPS)

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您好，Joe，

我在这里附加模拟文件。 3电阻分压器网络的原因是降低电压，因为比较器不能支持更高的电压。 这适用于下部MOSFET。 我想知道如何使它适用于高侧FET？

此外，如果我想使用TLV3603添加滞后，是否需要在阻隔器分隔器之后缓冲信号？

有关MOSFET关闭的情况，将根据比较器的输出驱动MOSFET。

e2e.ti.com/.../RECTIFIER-ON-OFF-THRSHOLD-DETECTION-high_2D00_low-side_5F00_1205.2022万.TSC

此致

Vishal

您好，Vishal，

很抱歉，如果不花很多时间，我就无法阅读您的示意图，很遗憾，我没有时间。

Kai

您好，Vishal，

感谢您提供您的TINA SIM。 现在我看到您展示的配置是关闭FET。 您的模拟原理图允许通过UCC2.7211万半桥栅极驱动器打开和关闭它们。 我将查看您的电路，看看比较器是否导致了问题。 如果没有，我会将您引导至负责UCC2.7211万的团队，因为他们最适合对电路的这一部分进行故障排除。  

至于添加滞后，您目前正在使用TLV3601，这已得到比较器宏的确认。 如果您使用TLV3603，则会有一个专用LE/HYST引脚，使您可以通过外部电阻器配置所需的滞后。  

e2e.ti.com/.../snom712a.zip

我在上面插入的ZIP文件中包含TLV3603比较器。  

我将在明天结束前查看您的电路并向您提供最新信息。  

此致，

乔

应用工程师

线性放大器业务单元|比较器产品线(CMPS)

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您好，Joe，

感谢您的回复。 我在模拟中使用TLV3603来解决ZCD问题。 我关注的是连接H形电桥高侧比较器时的共模电压过高。 如何缩小桥接器高侧的高共模？

另外，是否可以将TLV3603滞后电路用于反相比较器配置？

此致

Vishal