This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好,
我想知道LF353D和LF353M在输入偏置电压方面是否有任何差异。
数据表中的输入偏移电压技术指标似乎与这两种产品相同。 但 在LF353M 数据表中,有一个参考是使用'BI-FET II技术'来实现内部微调输入偏移电压。
我提出这个问题是因为我遇到了一些旧的National Semiconductor LF353M运算放大器和一些新的德州仪器(TI) LF353D之间的输入偏移电压差异; 我在这些器件上进行了一些测试,而延迟器(LF353D)的输入电压偏移通常 大于LF353M (National Semiconductor )。
我想知道切换到德州仪器(TI) LF353M运算放大器是否可以帮助我降低输入偏移电压行为。
谢谢你。
您好,Nicola,
您观察到什么输入偏移电压?
Kai
LF353-N (即LF353M/NOPB)与National Semiconductor的旧LF353设备相同。 理论上,它应该具有相同的属性,包括偏移电压分布。 实际上,仅保证最小/最大数据表限值,LF353-N和LF353具有相同的10 mV限值。 如果您关心偏移电压,请使用具有更好保证的设备,例如TL072H或TL052。