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器件型号：INA200 
你(们)好。
我有一个运行电流小于1mA 的应用、因此我的计划设计如上所示。 出现了三个令人关切/不确定的领域，它们是：
1) 1)为了最大程度地减小静态电流、我是否可以将 R1和 R2设置为如上所示的值？ 数据表指出、最大输入偏置电流为15nA、因此1兆欧不应构成任何问题、因为它仍比 INA200比较器的预期输入阻抗小50倍以上。 我对这一规范的解释是否正确？
2) 2)比较器的输出额定值最大为18伏、但数据表指出、如果电流保持在5mA 以下、则可以超出该值。 我的电路实际上具有20千欧至40V 的电压、从而产生2mA 的电流、因此在该条款范围内、但肯定所有晶体管/FET 都具有击穿电压、 因此、实际击穿电压是多少？如果确实超出了电流限制、电路是否仍然正常工作、或者是否处于未定义/闩锁状态？
3)对于我的复位、我希望有额外的4秒延迟(在硬件中)、因此将1uF 电容器添加到复位输入中、并依靠内部2兆欧作为放电电阻器来设置粗略的时间常数(精度不是问题)。 复位输入能否处理其输入端如此缓慢的电压衰减、或者其行为是否不可预测？ 即、它是一种低阈值约为1.1V 的施密特触发输入类型、还是会进入具有潜在"不良"行为的"线性"区域的其他电路？ 第7.3.3节。数据表中没有给出 RC 电路背后的任何详细原理、也没有给出 RC 滤波器中允许使用的电容器的最大限制。 我将使用5V 电压驱动它、在移除5V 电压(与 INA200的 V+上相同)后、我需要额外的4秒延迟(近似值)。 我不是用与 V+不同的电压来驱动它的情况、而是使用第7.3.3节似乎尝试并解决的电压。
此致
Thomas
