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器件型号：TLV9102 主题中讨论的其他器件： LMC662、 LMC6061、 LMC6081、 LMC660
尊敬的团队：
我是否可以知道 TLV9102的 I/P 电阻。
在 TI 网站上、我可以看到 TLV9102是 LMC662的替代产品。
LMC 662的 I/P 电阻栅格大于1T 欧姆
此致
哈里
您好 Hari、
TLV9102数据表的图12显示、室温下的典型输入电阻约为(8V -(-8V))/(2.5p-0.5p)= 8T。 请参见蓝线：
但是、当您仔细比较这两个数据表时、您会注意到、与 TLV9102相比、LMC662的输入偏置电流要低得多。 LMC662甚至显示了极端温度下的最大输入电流规格。
Kai
尊敬的 Ron：
非常感谢。
此运算放大器是我的 ASIC 评估板的一部分。 ASIC 有一个电荷泵(此电荷泵用于为 MEMS 供电)、此电荷泵具有10G Ω 的高 I/P 阻抗。 下面是我的电路。 我选择 LMC662是因为它的 I/P 阻抗大于1T 欧姆。
此致
哈里
尊敬的 Ron：
非常感谢。
由于 ASIC 需要测试高达150Deg、我决定使用2个电路板。
一个电路板仅包含用于安装 ASIC 的座椅及其相关连接器。 该板将位于烤箱内。
另一个电路板包含信号处理、测量电路等 这将位于烤箱外。
我只关心这个高阻抗部分。 我计划为该迹线提供防护。
下面给出了位于烤箱中的电路板内部高阻抗节点的信号链。
我是否需要使用保护迹线、或者能否在 迹线附近提供铜区域、如下所示
此致
哈里
尊敬的 Kai：
因为我的继电器线圈电源不同。请参阅下面的电路。我正在使用簧片继电器。
此致
哈里
尊敬的 Kai：
我无法使用模拟多路复用器、因为它们的 Ron 和电容。
我使用多路复用器来驱动继电器的 BJT 基极。
Arduino nano 用于选择继电器。
此致
哈里