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[参考译文] TLV9062:TINA-TI 仿真中 Vout 异常

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV9062, TINA-TI, TLV9162
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1059275/tlv9062-vout-is-abnormal-in-tina-ti-simulation

器件型号:TLV9062
主题中讨论的其他器件: TINA-TITLV9162

大家好、

我正在使用 TINA-TI 来模拟 TLV9062的行为。 TLV9062模块来自此处 、www.ti.com/.../TLV9162

原理图如下所示。 R5是分流电阻、L1/L2是 PCB 板中的寄生电感。 此处的增益设置为12、10us 后、Vi 的单位步长为86.4V。  

根据我的经验、Vout 应在10us 后从1.65V 增加到3.3V、但仿真显示 Vout 将下降到0V、保持34us、然后变为3.3V、这在这里是非常异常的。

我尝试使用另一个运算放大器 P/N、如 TLV9162、然后重试、结果似乎很好。

    

在这里、您能帮您解释一下吗? 为什么 TLV9062与 TLV9162有所不同、非常感谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wiky、

    我不确定您要在这里模拟什么场景? 您的输入超出了运算放大器的输入范围、因此在这两种情况下、您将激活运算放大器的 ESD 结构。 目前、TLV9162运算放大器模型是比 TLV9062更不先进的模型、并且这些模型仅在绝对最大用例中正常工作。

    TLV9162模型正在更新为其他模型的标准、但目前不会对 ESD 二极管等结构建模。

    请参阅下表、了解您在此处使用的器件的绝对最大额定值。

    在本用例中、您肯定会损坏两个器件。 请确保您的输入范围不超过您的电源电压。 另请参阅以下有关低侧电流感应的应用手册。  

    https://www.ti.com/lit/an/sboa285/sboa285.pdf 

    最棒的
    Jerry

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    您好、Jerry、

    此应用感应半桥低侧 MOSFET 电流、电感器 L1和 L2是 MOSFET 的寄生电感器。 我们需要知道运算放大器响应时间和 MCU 触发故障、然后在 OC 条件下关断 MOSFET。

    在启动期间、电感器将突破电流突然增加的限制、然后电流将增加。 当感测到电流330A 时、输出电压将约为2.85V、然后我们将关闭 MOSFET 以避免烧毁。 因此、在实际情况下、Vi 不会达到如此高的电压。

    我知道 TLV9062仅支持6V 电压、我们确认在安全环境下、我们的测试数据显示 Vi 最大值为4V。 但我们希望利用仿真来模拟最坏的情况。  

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    嘿、Wiky、

    该模型实际上仅描述了绝对最大规格内的性能、并且不会在器件中模拟任何类型的故障模式。 在这种情况下、可能会发生的情况是 ESD 保护二极管会导通、并且根据电流大小、会烧毁并使器件无法正常工作。 或者、如果电压过高但电流较低、则会以另一种方式损坏器件。 由于 EOS 损坏、这两种情况都会导致运算放大器无法正常工作。

    最棒的
    Jerry