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[参考译文] THS4541:低通配置下的 FDA 稳定性

Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: THS4541, TINA-TI
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/992260/ths4541-stability-fda-in-a-low-pass-configuration

器件型号:THS4541
主题中讨论的其他器件: TINA-TI

我设计了采用低通配置的 FDA、如下所示:

e2e.ti.com/.../FDA_5F00_THS4541_5F00_001_5F00_vb.TSC

但真正的硬件不稳定。 放大器在1.3GHz 时振荡。

我删除了 C14 (我跳过这里的图片)、但问题仍然相同。

我还删除了 C12和 C13 (现在没有低通)、如下所示:

实际的硬件(没有低通)现在是稳定的。

有人能告诉我低通的错误吗?

当然、它可能与布局有关。 但首先、我想知道原理图中是否存在一般错误。

谢谢

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    尊敬的 Pedantus:

    我建议从单位增益多反馈滤波器(MFB)开始。 我有一个是根据您的原理图为您制作的、但我在上传时遇到了一些问题。 请待机。


    最棒的

    Sam

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    由于附件存在问题、您可以对原始附件进行以下更改:

    R10 & R11 = 200

    R12和 R13 = 100

    C11 = 200p

    此设计的 fc 约为5.6MHz 或(1/sqrt (2))*(1/(2*pi*rc),其中 R = 200,C = 100p

    您将注意到、使用适当的 MFB 时、您的第二极点远低于您的通带、这将缓解您的一些问题。

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    尊敬的 Sam:

    我内置了 R12和 R13 、适用于您建议的型号。 我 知道、电路的设计方式可能不太关键。

    但我想了解不稳定行为的确切原因。 只有这样、我才能使用 THS4541安全地设计所有类型的电路。

    我怀疑我的布局中有一些关键的寄生电容、我低估了这些寄生电容的影响。  我想了解如何检测、估算此类寄生电容并将其纳入仿真中。
    但在此之前、我想确保在考虑稳定性标准时没有出现原则性错误。

    第一个电路是否应该稳定?
    "相补角必须大于增益裕度"标准是否 足够?

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    早上 Pedantus、  

    我使用原始模型尝试了 LG 的 ckt、看起来具有50度的相位裕度、因此看起来不错、  

    相位裕度>增益裕度、否、通常我们查看大于30deg 的相位裕度。 运算放大器极少出现增益裕度问题。  

    您的不稳定性? 您如何探测此情况? 通常、为了避免探头相互作用、我在频谱分析仪中使用一个小环路天线(卷绕磁线)。  

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    您好、Michael、

    您会得到50度的相补角。 我的第一个电路(FDA_THS4541_001_VB.TSC)结果为102度。
    我使用了您网站"sbom907b.tsc"中的 TI 示例作为起点、希望其中包含实际的 THS4541模型。

    您是否使用了较新的模型?

    或者、我是否从波特图中错误地读取了相补角?
    (我已将光标设置为 GAIN=0dB、读取此频率下的相位为-78deg、并计算出相位裕度180deg-78de=102deg)

    不稳定的第一个迹象是电流消耗过大。
    TDS7145B 示波器与差分探头连接在电阻 RL 上方。 这应该没有影响。 但一开始很难看到、因为 C14和极高的振荡频率。 移除 C14后、这很明显。

    由于安装空间有限、4层 PCB 布局非常紧凑。 我在可能的情况下使用了小型 RUN 封装和0201 (M0603)无源器件。

    P.S. 您的第一句话中的"LG"是什么意思?

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    LG 表示环路增益。 如果您要进行物理探测、请将该探头电容放入仿真中。  

    让我们看看它是否允许我插入图像和文件、偶尔工作、是的、这是为了使早期的 MFB 适应您的应用、所以在这里、额外的东西设置为零、使用的是2014原始模型、该模型具有与器件匹配的更谐振的 Zol。  

    LG sim 的内容有一些小差异、 这里是 FDA LG 文章#8、请返回到#5开始讨论 https://www.planetanalogue.com/stability-issues-and-resolutions-for-high-speed-fully-differential-amplifiers-fdas-insight-8

    e2e.ti.com/.../RC-feedback-LG-for-THS4541-original-model.TSC

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    尊敬的 Pedantus:

    如果您担心布局、我们可以从输入电容开始。 您可以使用布线长度、布线宽度、高度(预浸料厚度)和介电常数(预浸料的相对介电常数)来计算输入布线电容。 如果您自己没有工具、可以使用多种免费的在线条带阻抗计算器。 然后将其建模为输入上的额外分流电容。 如果您想减小这种影响、可以去除输入布线下方的覆铜、从而在之前的计算中有效地提高布线的高度。 紧凑的布局也会有所帮助、因为它会缩短布线长度。

    最棒的  

    Sam

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    很遗憾、我无法打开您的 TSC 文件。 TINA-TI V9显示"无法打开...TSC"。 (下载的 TSC 文件具有1073699字节。)
    请再次上传?

    然后、我可以看看这些差异。 仿真中的 THS4541模型似乎是从2018年7月6日开始的。

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    尊敬的 Pedantus:

    是否使用差分示波器探头进行振荡? 我问的原因是、差分示波器探针有时会带来麻烦、因为它们会引入复杂的共模阻抗来触发振荡。

    您是否使用单端示波器探头进行过检查?

    我始终使用这样的示波器探头弹簧:

    Kai

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    嗯、我已经保存了 LG sim 在 V9中正常工作、这是一个 V7文件、不能再执行任何其他操作了、  

    抱歉、今天早上它不允许我插入文件。

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    早上好、Michael、

    您可能希望(或不) 在新线程中发布问题文件。 作为原始海报时、上传程序目前一直对我有效。

    Kai

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    @ Michael

    我还使用 V9、奇怪的是。   不用担心、我已经从您的图片中复制了一个仿真。 我得到的结果与您相同。
    我了解您的方法。 原理图中的 R11和 C9是仿真分析仪中的探针、对吧?

    @ Kai

    我很确定、它在没有探测的情况下也会振荡。  电流消耗、THS 的温度(红外)、其他地方可见的偏移值都表明了这一点。
    是的、我也使用了图片中的单端探头进行故障排除。

    @ Sam

    请在 zip 文件中找到相关的布局。

    IC2是 THS4541、另一个组件标识符在线程顶部与我的第一次仿真相一致。 层厚度为100/200/100 µm 预浸料/模芯。

    也许有人可以给我一个提示、我在布局上犯了什么错误。 或者更好的是、在实际硬件中发生这种影响之前、我应该向仿真中添加什么来查看这种影响。

    谢谢大家。

    e2e.ti.com/.../PCB_5F00_Layout.zip

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    尊敬的 Pedantus:

    是的、您是对的、异常温升通常是振荡的良好指示。

    Kai

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    尊敬的 Pedantus:

    我发现了一些可能会提高性能的布局问题。 首先、您应该在尽可能靠近器件电源引脚的电源轨上添加旁路电容器、最好与器件在同一层上。 第二、我将更改 您电源平面上的过孔连接样式。 您所使用的散热装置与其他过孔的接近程度相结合、让您可以使用三根小导线供电、而不是使用实心连接。 当尝试提高具有多个内核平面的厚 PCB 上的焊料填充渗透率时、此样式的散热在穿孔上很常见、但此处只会增加您的电源过孔的额外电感。 第三、我会为 C11使用更小的封装、并旋转它、以便您的输入路径可以对称。 最后、我将移除在 R16下方运行的未使用布线、以避免任何有害的噪声耦合到-1.8V 电压轨。 这样的电源问题会对器件稳定性产生重大影响、因此我希望这对您有所帮助!

    最棒的
    Sam

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    尊敬的 Sam:

    1) IC2和旁路电容器 C2 (底层看不到 C4)之间的间隙为1.65mm。 距离这太远了吗? 旁路电容器(2.2uF 陶瓷电容器)通过电源层进行连接。 我认为这比赛道更好、因为赛道的外侧没有空间。

    2) 2)您说得对、在这种情况下、过孔连接方式毫无意义。 您是否有一个粗略的数字、0.1mm x 0.1mm 履带的电感有多大? 在这里、它能有很大的影响吗?

    3) 3) C11的0402 (M1005)封装是我为820pF COG 电容器找到的最小尺寸。 C11未安装在两个仿真用例中。 但 C11的焊盘仍然存在于 PCB 上。

    4) 4)我的错。 在制作布局屏幕截图之前、我只是移除了可选(未安装)跳线 R20、以避免混淆。 它旨在使其中一个 FDA 处于断电模式以进行试验。 您说的对、这现在是两种仿真情况下的开路迹线。 我可以尝试切断测试的迹线、不确定是否可以这么做。

    我对这个设计还有另外一种担心。 由于 R12和 R13是0r 的跳线、因此焊盘也间接连接到输入端、在输入端、接地(电源)层不会断开。 这会给我带来麻烦吗?
    另一方面、对于第二个仿真、这是相同的、这是稳定的。

    同时、我还模拟了与 RL 并联的差分探头(1pF、200k)。 它没有重大影响。

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    尊敬的 Pedantus:

    旁路电容器的关键是确保器件在看到电源平面之前看到它们。 如需此放置示例、您可以查看此器件的 EVM (遗憾的是、它采用了替代封装)、并在第5页" THS4541RGT EVM 用户指南"中专门查看 C5至 C8 (TI.com)

    在 ADS 等软件中可以对过孔连接的电感进行建模、该建模将取决于过孔和布线尺寸  、但可能不值得您花费时间。 在这些频率下、这可能是一个小贡献、而不是您真正的问题。 将电容器放置在器件的电源过孔之间、正如我在上面所述、这一点非常重要。

    我还建议为这些器件添加更小的值、例如0.1uF、以确保在 ESL 接管之前滤除更高频率的噪声。 同样、上面链接的 EVM 是一个很好的参考。

    我认为您的跳线不应导致任何问题。

    最棒的

    Sam

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    我不确定您是否曾指示过探头电容? 让我们再次尝试插入 V7 LG 文件、这次得到它、  

    e2e.ti.com/.../5241.RC-feedback-LG-for-THS4541-original-model.TSC

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    实际上、EVM 使用了完美的去耦。 但我的任务是将两个 FDA (以及用于电缆噪声抑制的本地电压调节)的电路安装到不超过15mm 的3.5mm 孔中。 为了节省空间、我只有一个电容器用作 LDO 的输出电容器和 THS 的去耦合。 每个电压对应+1.8V 和-1.8V。 实际上、接地仅用于确定 VOCM。

    这种2.2uF 的1GHz 频率下的行为与100nF 的类型相同、这主要取决于 SMD 尺寸:

    拓扑为: LDO - 0.3mm - C2 -电源平面- 1.6mm - THS  (电源平面上除 THS 之外没有其他负载)

    为了更深入地探讨输入上的寄生电容问题、我已经仿真了可能导致振荡的原因:

    但3pF 的寄生电容是否真实? 我尝试按如下方式估算布线和焊盘容量:

    我是否正确估计了? 如果是、那么这不能成为原因。

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     在输出引脚上找到的电容器会更快地进入低相位裕度

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    一种快速方法是查看输出引脚处的差分点噪声、这里是接地每侧3pF、尖峰为1.2GHz

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    我还有模拟输出电容器(请参阅我的上一张图片)。 但我估计的尺寸没有影响。
    我是否可以估计容量错误?

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    尊敬的 Pedantus:

    我仍然认为您应该考虑填充 MFB 滤波器的所有组件、尤其是差分输入电容器。 我发现此设计对寄生效应的抵抗力要高得多。

    ESL 取决于封装尺寸是绝对正确的、因此如果您可以在布局中找到房间、我建议堆叠尺寸更小的0.1u 或0.01u 封装。

    最棒的

    Sam

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    我不确定 Sam 您想要什么样的滤波器形状、但这里是这些 RC 将提供的、看起来与您的仿真相匹配。 由于此 Q=.52设计中没有峰值、请忽略这些峰值指标-流量误差、但 F-3dB 应该是正确的。  

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    您好、Michael、

    感谢您发布规格、我用   标准值在~10dB/~5MHz 的镇流器中加了一些安全的东西、这样 我们就可以确保我们不会出现电源问题。

    最棒的

    Sam