大家好、
客户正在设计 INA233、设置如下所示。
Rshunt is10m Ω。
0xD4 => 0x0200 (1mA/阶跃)
0x4A => 0x2710
0xD0 => 0x4825
0xD2 => 0x00FB
https://e2e.ti.com/support/amplifiers/f/14/t/877650
根据之前的 POST 建议、将0xD0寄存器从0x4827更改为0x4825。 但是、INA233上的响应时间超过100ms。 请您提供意见、说明如何缩短 INA233在 exp1上的响应时间? 以及客户如何使响应更加一致?
费用1:
客户按如下方式捕获波形。
CH0:SCL (MCU 每10ms 轮询 INA233)
CH1:SDA (MCU 每10ms 轮询 INA233)
CH2:MCU GPIO (如果 I2C 回读值发生变化、它将拉低)
CH3:MCU GPIO (如果外部虚拟电阻器负载插件、MCU 将检测到插件事件)
从 CH3虚拟负载插入到 CH2拉低、耗时约为133ms。 客户期望 INA233的回读时间应小于30ms。
费用2:
客户还可以通过电子负载在此处进行6次捕获、并使用示波器来捕获波形
CH1:由电流探头进行电流监控。
CH2:INA233回读值更改后、MCU GPIO 事件将变为低电平。 (MCU 代码仅从高电平更改为低电平)
这里的问题是六之间的持续时间。 变化范围为113~222ms。
BR、
SHH