主题中讨论的其他器件:LM393、 LM358、
我在 LM385 (SOIC-8)和 LM385N (PDIP)上进行了电路实验。 原理图如所示、
我使用5伏的电压和安培表来记录电流。
在 LM358N (PDIP)电路中、电流显示为0.7mA 并保持数小时。
在 LM358 (SOIC-8)电路中、电流以与 LM358N 相同的0.7mA 开始、
但几分钟后、电流表显示出25mA 至55mA 左右的不稳定波动值。
您能给我介绍 一下 LM358 和 LM385N 之间的一些差异吗?
此致
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我在 LM385 (SOIC-8)和 LM385N (PDIP)上进行了电路实验。 原理图如所示、
我使用5伏的电压和安培表来记录电流。
在 LM358N (PDIP)电路中、电流显示为0.7mA 并保持数小时。
在 LM358 (SOIC-8)电路中、电流以与 LM358N 相同的0.7mA 开始、
但几分钟后、电流表显示出25mA 至55mA 左右的不稳定波动值。
您能给我介绍 一下 LM358 和 LM385N 之间的一些差异吗?
此致
赵您好!
Kai 正确、U2上的电源反向。 这将产生高电源电流、并可能损坏运算放大器。
LM358不是轨到轨输出、因此该迟滞比较器的输出电压约为0.6V 和3.6V。 LM393将会更好。
您是否阅读 了 LM358应用手册?
要回答有关不同器件型号的问题、请执行以下操作:
LM358是最初由 TI 提供的 LM358的通用器件型号。 LM358-N 是来自 National Semiconductor 的 LM358的通用器件型号、TI 于2011年收购了该器件。 这两种产品的规格非常相似、但裸片和制造流程不同。
LM358N/NOPB 是在 PDIP 中组装的 National 器件的特定器件型号。 NOPB 表示铅涂层为纯锡(Sn)、没有铅(Pb)。
LM393将具有类似的命名约定。
尊敬的先生:
我再次对采用不同封装的多个 LM358运算放大器系列进行了一些测试。
我发现了一些不合理的结果、请帮我解决。
原理图以半运放显示、这是双通道上的实际测试。
R1&R2作为分压器、同相输入为2.5V
我通过切换至5V 或 GND 并在 示波器上显示输出来更改反相输入。
通过观察电流表和示波器、不同芯片出现了一些意想不到的结果。
LM358N (PDIP)和 LM358P (PDIP):工作电流稳定、信号输出稳定
LM358 (SOIC-8)和 LM358M (SOIC-8):工作不稳定、电流不稳定、信号输出波动
真诚希望您能解决我的问题?
我需要在电路上实现 SOIC 芯片、但仍然有问题。
此致
您好、赵
我非常确信、奇怪的结果是试验板设计的结果、其摆动过长、杂散电容过大。
请在 LM358的电源引脚上直接安装一个100nF 去耦电容、并从电源线上移除电流表。 此外、在 LM358的输出引脚上直接安装一个100R 隔离电阻器。 测量该隔离电阻后面 OPAMP 的输出电压。 最后、在最靠近运算放大器的 LM358的引脚2至引脚4之间安装一个100nF 滤波电容器。
Kai