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器件型号：INA1620 主题中讨论的其他器件： OPA1622、 LM4562、 TINA-TI、 OPA827、 OPA828
我对这些器件的高偏置电流如何与偏置位置和反相输入端的电阻相互作用有点困惑。 其中一部分是我缺乏 EE 背景。 串联电阻限制是明确的--保持在10K 以下。
通常在电压跟随器的同相输入端放置47KΩ Ω 100kΩ Ω 偏置电阻器、其中一些电阻器的输入阻抗低至30KΩ Ω...LM4562是72nA Ib 的一个很好的示例...但我不确定什么放大器特性会将这种常见做法变成噪声责任。 IIRC、OPA1622和 INA1620的规格为60KΩ Zin 和~1200nA Ib。
1) 1)任一器件如何处理具有高偏置电阻和低串联电阻的三安培单位增益仪表前端应用(U1)？ 大多数源电阻小于100Ω μ F、但有些源电阻可能为1KΩ μ F 至2kΩ μ F、并具有合理长度的高质量电缆所产生的相关小电容。 这不是为吉他或低音而设计的(显然不是 FET 前端)、但这将是5kΩ Ω 至13KΩ Ω。 想知道这些场景会有多大噪声。
2) 2)如果 RF 和 Rg 被添加到 U1中、是否会发生任何显著变化、例如在典型的高增益 IA 中、假设 RF 类似于1KΩ Ω 至2kΩ Ω、U1增益介于4至100之间？
3) 3)两种器件如何处理反相输入(U2B)上小于10K 的可变电阻器？ 比偏置电流为10nA 或不具有偏置电流的某种精度的 BJT 器件要糟糕得多？
顺便说一下、U2B 是一个±10dB 修整。
谢谢！
