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[参考译文] INA200：用于高侧过流关断的电阻器和 FET 选择

admin
Guru**** 1144270 points
Other Parts Discussed in Thread: INA200, INA201, INA203, INA206
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/858489/ina200-resistor-and-fet-selection-for-high-side-overcurrent-shutdown

器件型号：INA200
主题中讨论的其他器件： INA201、 INA203、 INA206

我对具有高侧过流关断功能的电流分流监控器感兴趣、INA200数据表图29。

是否有用于选择或计算外部组件的文档？  

如果没有、请告诉我电阻器(R1~R4)和 FET 值的公式。

顺便说一下、我将使用以下规格；

VS：3.3V

VCM：55V (110V 的1/2分频)

Isense：0A~500mA

Rsense：100MΩ Ω 设置为选项1

此致、

Satoshi

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    TI__Guru**** 1144270 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Satoshi、

    R1和 R2取决于所需跳变点(0.5A*100m Ω*50=2.5V)上比较器阈值(0.6V)和 INA201输出电压之间的比率。 关系为 R2/(R1+R2)=0.6/2.5。

    我们可以选择 R1为19K；R2=6K。

    R4通常可以为1到3KOhm。

    根据您的使用条件、除了 R3另一个电阻器外、还需要 R5。 如下所示：

    R3/R5的值取决于您选择的特定 FET。 对于绝大多数情况、设置 R3=1KOhm；R5=10K 应该是可以的。

    这些是棒球场编号。 如果您觉得有必要，我将非常乐意在您选择所有组件后进行一次评审。

    此致、Guang

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    TI__Guru**** 1144270 points
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    广三

    感谢您的回复、

    我将选择您建议的值。

    ※4.7kΩ R1和 R2更改为22kΩ Ω 和6.8kΩ Ω(或15kΩ Ω 和 Ω)、因为需要统一 E24步骤。

    其他问题；

    请告诉我连接 R3和 R5的有效方式、或与 FET 的关系。

    此致、

    Satoshi

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    TI__Guru**** 1144270 points
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    你好，Satosi-San，

    R3/R5和 FET 之间的关系可通过以下公式近似计算：Vsupply*R3/(R3+R5)。 目标是使栅极驱动保持在 FET 所需的范围内。

    R3和 R5之和的小值对于快速响应是理想的；另一方面、它决定了 Q1中的电流：IC≈Vsuppli/(R3+R5)。 因此、为了保持低电流、最好是<3mA、需要较大的值。

    根据这些限制、一旦选择了 FET、您应该能够为 R3/5确定适当的值。

    此致、Guang

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    TI__Guru**** 1144270 points
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    广三

    抱歉、还有其他问题；

    当需要通过 FPGA 输出连接 FET 开/关控制(用于过流以外的保护功能)时、是否有任何应用手册或信息？

    我认为这些情况建议使用 INA203或 INA206 (比较器×2)、对吗？

    ・COMP1意味着与 INA200的比较器功能相同  

    ・COMP2由 FPGA 控制、Comp2输入从 FPGA 信号控制、Comp2输出到 FET 控制(需要针对 Comp1输出和 Comp2输出建立 OR-ing 电路)

    此致、

    Satoshi

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    TI__Guru**** 1144270 points
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    你好，Satosi-San，

    如果需要第二个比较器、当然可以选择 INA203或 INA206。 比较器用途相当广泛；数据表详细说明了如何在各种情况下利用它们。

    我并不完全理解您的意图，但您肯定可以使用 FPGA 来控制它，这可能是借助与上述电平转换数字类似的 BJT 来实现的。

    在 TI 网站上进行的搜索未返回相关应用手册、但您可以使用正确的关键字进行搜索。

    此致、Guang