主题中讨论的其他器件: INA201、 INA203、 INA206
我对具有高侧过流关断功能的电流分流监控器感兴趣、INA200数据表图29。
是否有用于选择或计算外部组件的文档?
如果没有、请告诉我电阻器(R1~R4)和 FET 值的公式。
顺便说一下、我将使用以下规格;
VS:3.3V
VCM:55V (110V 的1/2分频)
Isense:0A~500mA
Rsense:100MΩ Ω 设置为选项1
此致、
Satoshi
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我对具有高侧过流关断功能的电流分流监控器感兴趣、INA200数据表图29。
是否有用于选择或计算外部组件的文档?
如果没有、请告诉我电阻器(R1~R4)和 FET 值的公式。
顺便说一下、我将使用以下规格;
VS:3.3V
VCM:55V (110V 的1/2分频)
Isense:0A~500mA
Rsense:100MΩ Ω 设置为选项1
此致、
Satoshi
您好 Satoshi、
R1和 R2取决于所需跳变点(0.5A*100m Ω*50=2.5V)上比较器阈值(0.6V)和 INA201输出电压之间的比率。 关系为 R2/(R1+R2)=0.6/2.5。
我们可以选择 R1为19K;R2=6K。
R4通常可以为1到3KOhm。
根据您的使用条件、除了 R3另一个电阻器外、还需要 R5。 如下所示:
R3/R5的值取决于您选择的特定 FET。 对于绝大多数情况、设置 R3=1KOhm;R5=10K 应该是可以的。
这些是棒球场编号。 如果您觉得有必要,我将非常乐意在您选择所有组件后进行一次评审。
此致、Guang
你好,Satosi-San,
R3/R5和 FET 之间的关系可通过以下公式近似计算:Vsupply*R3/(R3+R5)。 目标是使栅极驱动保持在 FET 所需的范围内。
R3和 R5之和的小值对于快速响应是理想的;另一方面、它决定了 Q1中的电流:IC≈Vsuppli/(R3+R5)。 因此、为了保持低电流、最好是<3mA、需要较大的值。
根据这些限制、一旦选择了 FET、您应该能够为 R3/5确定适当的值。
此致、Guang
广三
抱歉、还有其他问题;
当需要通过 FPGA 输出连接 FET 开/关控制(用于过流以外的保护功能)时、是否有任何应用手册或信息?
我认为这些情况建议使用 INA203或 INA206 (比较器×2)、对吗?
・COMP1意味着与 INA200的比较器功能相同
・COMP2由 FPGA 控制、Comp2输入从 FPGA 信号控制、Comp2输出到 FET 控制(需要针对 Comp1输出和 Comp2输出建立 OR-ing 电路)
此致、
Satoshi
你好,Satosi-San,
如果需要第二个比较器、当然可以选择 INA203或 INA206。 比较器用途相当广泛;数据表详细说明了如何在各种情况下利用它们。
我并不完全理解您的意图,但您肯定可以使用 FPGA 来控制它,这可能是借助与上述电平转换数字类似的 BJT 来实现的。
在 TI 网站上进行的搜索未返回相关应用手册、但您可以使用正确的关键字进行搜索。
此致、Guang