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大家好、
我们希望在我们的设计中估算器件的结温。
我知道有必要实际创建一个电路板并进行测量、因为它取决于系统、但我想在决定应采取何种谨慎措施时进行粗略的估算。
我从数据表中了解到、电源电流足够小、小于150uA。
但是、我认为输出灌电流在实践中也会受到影响。
我不知道如何考虑这个灌电流。
您能告诉我如何 计算这个、例如、一个公式吗?
或者、由于这是瞬时电流、我们是否能认为影响足够小?
此致、
Tomoaki Yoshida
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大家好、
我们希望在我们的设计中估算器件的结温。
我知道有必要实际创建一个电路板并进行测量、因为它取决于系统、但我想在决定应采取何种谨慎措施时进行粗略的估算。
我从数据表中了解到、电源电流足够小、小于150uA。
但是、我认为输出灌电流在实践中也会受到影响。
我不知道如何考虑这个灌电流。
您能告诉我如何 计算这个、例如、一个公式吗?
或者、由于这是瞬时电流、我们是否能认为影响足够小?
此致、
Tomoaki Yoshida
Tomoaki、您好!
您使用的是哪种封装? 这非常重要。 这是 LMV331还是 LMV331-N (美国国家半导体版本?)
裸片消耗的任何功率都会将裸片温度升高到环境温度以上。
您需要找到以瓦特为单位的总功率损耗。 P=I*V. 这包括比较器静态电流和负载电流。
因此、如果 LMV331的静态电流为150uA、并且您有5V 电源:
150uA * 5V = 750uW
因此、仅比较器电源电流就需要750uW 的功率。
负载电流也会导致功耗。 负载电流损耗根据输出电压和负载电流计算得出。
因此、如果负载电流为10mA、压降将约为280mV (来自 LM331-N 数据表的图3):
10mA * 280mV = 2.8mW
总功耗为750uW + 2.8mW = 3.55mW
要找出温升、请将功率耗散乘以封装热阻。
因此、假设最坏情况下的 SC-70 (DCK)热阻为478°C/W:
3.55mW * 478 = 1.7°C
因此、裸片的总功耗将随环境温度而升高、仅为1.7°C。
~比较器和运算放大器等低功耗器件、假设 Ta Δ T = Tj。 因此、如果环境温度为35°C、裸片温度将为36.7°C
如果负载为50mA、这将导致环境温度(或54.2°C)上升19.1°C。 因此、负载会产生最大的差异。
以上内容还假设存在持续耗散。 如果您具有10%的灌电流占空比、则输出功率将仅为10%(但您仍必须保持在绝对最大电流范围内)。
如果是多通道器件(双通道/四通道)、则必须将所有比较器和所有负载的电源电流组合在一起。
有关封装热性能的更多信息、请参阅封装应用手册部分:
http://www.ti.com/support-packaging/packaging-resources/SMT-and-application-notes.html#image