[参考译文] LMV331：热计算方法

Tomoaki、您好！

您使用的是哪种封装？ 这非常重要。 这是 LMV331还是 LMV331-N (美国国家半导体版本？)

裸片消耗的任何功率都会将裸片温度升高到环境温度以上。

您需要找到以瓦特为单位的总功率损耗。 P=I*V. 这包括比较器静态电流和负载电流。

因此、如果 LMV331的静态电流为150uA、并且您有5V 电源：

 150uA * 5V = 750uW

因此、仅比较器电源电流就需要750uW 的功率。

负载电流也会导致功耗。 负载电流损耗根据输出电压和负载电流计算得出。

因此、如果负载电流为10mA、压降将约为280mV (来自 LM331-N 数据表的图3)：

 10mA * 280mV = 2.8mW

总功耗为750uW + 2.8mW = 3.55mW

要找出温升、请将功率耗散乘以封装热阻。

因此、假设最坏情况下的 SC-70 (DCK)热阻为478°C/W：

 3.55mW * 478 = 1.7°C

因此、裸片的总功耗将随环境温度而升高、仅为1.7°C。

~比较器和运算放大器等低功耗器件、假设 Ta Δ T = Tj。 因此、如果环境温度为35°C、裸片温度将为36.7°C

如果负载为50mA、这将导致环境温度(或54.2°C)上升19.1°C。 因此、负载会产生最大的差异。

以上内容还假设存在持续耗散。 如果您具有10%的灌电流占空比、则输出功率将仅为10%(但您仍必须保持在绝对最大电流范围内)。

如果是多通道器件(双通道/四通道)、则必须将所有比较器和所有负载的电源电流组合在一起。

有关封装热性能的更多信息、请参阅封装应用手册部分：

 http://www.ti.com/support-packaging/packaging-resources/SMT-and-application-notes.html#image