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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/833296/tlv3401-pull-up-resistor
大家好、
建议的上拉电阻器为 1MΩ Ω、我们希望电路具有更高的输出电流、因此上拉电阻器更改为10kΩ Ω、但仿真结果显示输出低电压只能达到0.58V 而不是0V。
TINA 显示输出中存在灌电流、您能否帮助说明输出电压为何无法达到0V 并解释输出灌电流？ 谢谢！
此致！
Hao
Hao、
当您使用较小的电阻器上拉电阻器吸收越来越多的电流时、比较器 Rdson 上的电压会增加并升高器件输出的接地平面。
通常、对于低功耗器件、您需要使用一个大上拉电阻器来避免这种情况。 虽然较小的上拉电阻器可提供更快的速度、但10k 上拉电阻器的功耗比1M 电阻器大得多、还会提高您的接地层。
您是否曾尝试使用100k 欧姆范围内的上拉电阻器对您的电路进行仿真？ 您是否有希望从输出中获得的所需速度？
此致、
Jonny
你好、Jonny、
100千欧电阻器要好得多、电压几乎会变为0V。
内部 MOSFET 似乎具有非常大的 Rdson、可通过 TINA 仿真计算 Rson 为(581.44mV/271.86uA=) 2.1kΩ Ω。 我是否可以解释 Rdson 为什么这么大？ 因为大多数 MOSFET 的 Rdson 小于10Ω Ω。
谢谢、致以最诚挚的问候！
Rdson 很大、因为它是部件的设计工作方式。 对于这些较旧的纳瓦级比较器器器件、您可以在数据表曲线中看到、当您使用10k 电阻器提供尽可能多的电流时、电压电平可能会非常高。
我注意到您的电源和上拉电阻值相同。 您为什么使用开漏器件？ 您可以使用推挽输出比较器、该比较器可以驱动更高的速度、并且不会出现将地面升高到过高的问题。
我建议查看 TLV7031。 这是我们的低电压、纳瓦级功率推挽比较器、提供引线式和节省空间的无引线选项。 如果您要使用器件的漏极开路版本(TLV7041)并且希望提供0.33mA 的电流、那么例如、1.8V 电源下的接地底限将仅为40mV。 与 TLV3401相比、这已经提高了10倍。
你好、 Jonny、
感谢详细的解释。 100千欧电阻器满足我们的要求。 如果需要更多电流、我们将考虑使用推挽输出比较器。
