[参考译文] OPA333：大家好、我对 OPAMP 稳定性 TINA 仿真有疑问。

您好 Yunsik、  

确保您使用的是最新的 TINA 模型、2019年2月进行了更新、运行闭环交流时显示峰值接近15dB、请参阅本文中的图2、其中建议相位裕度小于10度、  

https://www.planetanalogue.com/author.asp?section_id=3404&doc_id=565056

您所显示的 LG 仿真电路通常足够、但是、如果输出阻抗建模良好(模型中的更新之一)、它会与该方法中的任何反馈负载隔离。 在缓冲器电路中无关紧要、但有时会对反馈电容器产生很大影响。 这是一个稍微精确一点的 LG 仿真、这实际上表明我们已经超过180度-  

数据表中关于 Riso 与容性 load 的内容不多、但仅在 LG 仿真中迭代-即使是相当高的 Riso 也没有太大的影响、如果您需要驱动5nF、您可能需要使用双环路方法、  

感谢您的回复、Michael！

但我仍然感到困惑。 如果我说第一个电路的相位裕度为25.25 (180-154.75)、第二个电路的相位裕度为40.43 (180-139.57)、是否正确？

我想计算相位波特图的相位裕度、而不是增益峰值的相位裕度。

此外、在第一个电路的相位波特图中、为什么相位变为正侧？

我的 LG sims 显示第一个电路是非常不稳定的、不知道闭环为什么不显示这种情况。 我的 LG sim 的200欧姆仍然不稳定、我尝试了2011车型、同样。 我只是认为该电路无法成功驱动5nF。 我尝试了一些更合理的电容负载、事情再次开始有意义、这里是100pF 闭环 Riso、仍然峰值非常严重、  

同样、在422kHz 频率下的9.5dB 峰值表明、该频率附近的 LG = 0dB 交叉频率与我之前发送的文章中的图2相位裕度仅为18度-也就是说、现在这种匹配效果更好、更有意义、 5nF 可能与模型中的开环输出阻抗相互作用、从而开始这一简单的分析-了解 silms 是一件事情、但我认为该器件无法在简单的 Riso 方法中成功驱动5nF、  

Yunsik、

具有1T 电感器和1T 电容器的第二个电路显然仅用于分析使用接近率方法的第一个电路的稳定性-因此、实际电路是您的第一个电路。  1V 阶跃过冲并不能告诉您  电路的稳定性-您必须使用几十 mV (而不是更高)的小信号、因此输入级以线性方式运行而不是转换。

Micheal、

查看错误节点-为了确定电路的稳定性、您必须直接查看放大器的输出、而不是隔离 Riso - VM1的右侧。 如果没有 Riso 电阻器、相位裕度为-10度、因此电路完全不稳定(持续振荡)。

请注意、您必须查看 AOL 和1/beta 曲线相交的频率处的相位裕度(环路增益为零)-请参阅下面的。

使用200 Ω Riso 电阻器、可实现15度的相位裕度、其中电路具有轻微稳定(稳定时间长的振铃) 对于宏模型中使用的典型器件、但可能会因工艺变化而变得不稳定、其中、由于带宽的增加、相位裕度可能会下降高达20-25度。   

因此、为了确保电路在工艺变化时无条件地保持稳定、 我们建议该设计具有至少45度的相位裕度、因此、如果相位裕度因工艺变化而降低25度、则剩余至少20度的相位裕度可确保稳定运行。   对于5nF 负载、这是通过500欧姆 Riso 电阻器实现的-请参阅下文。

没有 Marek、我在找对的地方、我只是稍微改变一下

电容短路后、反相输入端的馈入测试信号

2.连接回设置直流工作点的电感器外部的反馈电路

3.在求和点处添加内部输入 C、  

4.在反相结处感应 Aol*Beta -反相驱动到反相节点，将该感应与求和结上的正极侧直接报告相位裕度-是的，我得到的结果是相同的-10度，  

Michael、

我参考了您的第一个增益峰值仿真(见下文)、该仿真查看了错误的节点- VM1、而不是 R1电阻器的左侧。

上面显示的第二个仿真是正确的、对于无 Riso 电阻器、会产生与我的仿真相同的-10度相位裕度。