您好!
我正在尝试使用 Tina 仿真缓冲器稳定性。
为了获得瞬态图、我在上面使用了电路、结果非常好。
但在 TI 高精度实验室中、我了解到、如果我想仿真增益裕度和相位裕度、则必须使用如下所示的开环电路。
为什么我必须像上述那样设计电路?
如果我使用第一个电路进行仿真、我会得到错误的结果吗?
谢谢、
此致、
Yunsik
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您好!
我正在尝试使用 Tina 仿真缓冲器稳定性。
为了获得瞬态图、我在上面使用了电路、结果非常好。
但在 TI 高精度实验室中、我了解到、如果我想仿真增益裕度和相位裕度、则必须使用如下所示的开环电路。
为什么我必须像上述那样设计电路?
如果我使用第一个电路进行仿真、我会得到错误的结果吗?
谢谢、
此致、
Yunsik
您好 Yunsik、
确保您使用的是最新的 TINA 模型、2019年2月进行了更新、运行闭环交流时显示峰值接近15dB、请参阅本文中的图2、其中建议相位裕度小于10度、
https://www.planetanalogue.com/author.asp?section_id=3404&doc_id=565056
您所显示的 LG 仿真电路通常足够、但是、如果输出阻抗建模良好(模型中的更新之一)、它会与该方法中的任何反馈负载隔离。 在缓冲器电路中无关紧要、但有时会对反馈电容器产生很大影响。 这是一个稍微精确一点的 LG 仿真、这实际上表明我们已经超过180度-
数据表中关于 Riso 与容性 load 的内容不多、但仅在 LG 仿真中迭代-即使是相当高的 Riso 也没有太大的影响、如果您需要驱动5nF、您可能需要使用双环路方法、
我的 LG sims 显示第一个电路是非常不稳定的、不知道闭环为什么不显示这种情况。 我的 LG sim 的200欧姆仍然不稳定、我尝试了2011车型、同样。 我只是认为该电路无法成功驱动5nF。 我尝试了一些更合理的电容负载、事情再次开始有意义、这里是100pF 闭环 Riso、仍然峰值非常严重、
同样、在422kHz 频率下的9.5dB 峰值表明、该频率附近的 LG = 0dB 交叉频率与我之前发送的文章中的图2相位裕度仅为18度-也就是说、现在这种匹配效果更好、更有意义、 5nF 可能与模型中的开环输出阻抗相互作用、从而开始这一简单的分析-了解 silms 是一件事情、但我认为该器件无法在简单的 Riso 方法中成功驱动5nF、
Micheal、
查看错误节点-为了确定电路的稳定性、您必须直接查看放大器的输出、而不是隔离 Riso - VM1的右侧。 如果没有 Riso 电阻器、相位裕度为-10度、因此电路完全不稳定(持续振荡)。
请注意、您必须查看 AOL 和1/beta 曲线相交的频率处的相位裕度(环路增益为零)-请参阅下面的。
使用200 Ω Riso 电阻器、可实现15度的相位裕度、其中电路具有轻微稳定(稳定时间长的振铃) 对于宏模型中使用的典型器件、但可能会因工艺变化而变得不稳定、其中、由于带宽的增加、相位裕度可能会下降高达20-25度。
因此、为了确保电路在工艺变化时无条件地保持稳定、 我们建议该设计具有至少45度的相位裕度、因此、如果相位裕度因工艺变化而降低25度、则剩余至少20度的相位裕度可确保稳定运行。 对于5nF 负载、这是通过500欧姆 Riso 电阻器实现的-请参阅下文。