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器件型号：LOG114EVM 主题中讨论的其他器件： LOG114、 REF3040、 OPA365
LOG114EVM 设计不同于 LOG114数据表中的建议。 差异如下：
1) 1)图2中的 LOG114数据表使用 REF3040提供4.096V 信号以生成基准电流。 此外、第15页指出、双电源的优势包括"无需+4.096V 精密基准"、这似乎意味着 REF3040对于单电源设计是必需的。 然而、LOG114EVM 使用片上2.5V 基准来生成基准电流。
2) 2) LOG114数据表使用内部2.5V 基准直接生成所需的电平位移输出、而 LOG114EVM 使用由 OPA365放大的内部电压基准单位生成的缓冲信号。
3) 3) LOG114 μF μF 表显示了1000pf 和10 μ F 的旁路电容器、而 LOG114EVM 使用的值为100nF 和4.7 μ F。 我假设这些电容器的值取决于输出的阻抗和电流要求？
那么、是否可以使用内部2.5V 基准来生成基准电流和电平位移、从而消除 REF3040和 OPA365？ 内部基准上是否存在阻抗限制以排除这种情况？ 似乎没有直接提供基准信号的等效内部电阻。 Ω 列出的短路电流为10mA、这表明基准源的内部电阻为250k Ω。 设计中是否有任何因素阻止基准同时用作电流基准和输出电平位移源？ 首选设计是什么？
此外、LOG114EVM 用户指南的表2中似乎有拼写错误。 C1和 C2的说明应为100nF、而不是1000pF。 μF 的 μF 应为1 μ F 而不是0.1 μ F。
