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[参考译文] LM339:旧器件正常工作、新器件不工作。

Guru**** 2581345 points
Other Parts Discussed in Thread: LM339

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/669078/lm339-older-devices-work-newer-devices-do-not-work

器件型号:LM339

我将 LM339与4401晶体管结合使用来控制 FET。

我已经开始看到一连串的 FET 故障、并且能够通过更改 LM339来使电路正常工作和/或发生故障。

所有发生故障的样片组件上的器件标识均为"TI LM339"和 "HYC5392H"。

 工作的样品总成上的标记是混合物:

LM339 G4和9CADSVM

LM339和16P18NAG4

LM339和 P0542AG3

LM339 G4和 04ALFDM

发生了什么变化?

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    您好 Brian、

    能否提供您订购的确切器件型号(假设是 LM339D 或 PW)?

    您能否提供同时显示输入信号源和输出负载的原理图? FET 驱动什么?

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    我的器件列表列出了 LM339D。

    我 插入了原理图的 pdf、但我认为它不能正常工作。 如果没有 、可以方便地向您发送 PDF 吗?

    输入:

    P1-1:24V

    P1-2:模拟输入在 FET 上创建 xx%占空比(高于9V = 100%、低于1V = 0%)

    P1-3:接地

    故障输出 连接到电磁阀。

    e2e.ti.com/.../KC_5F00_A10732_5F00_00_5F00_Schematic_5F00_CDM.pdf

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    您好 Brian、

    原理图。 我明白了。

    我已要求质量工程师查看生产日期代码、并查看有无差异。

    LM339是否已损坏? 还是 Q4或 Q2? 当输出发生故障时、它是否会开路、短路或介于两者之间的某处发生故障? 是否存在物理损坏(烟雾?)? IC 是否变热?

    每当我们看到电磁阀时、我们都会立即考虑瞬态和电感反冲问题。 这些问题与布局非常相关、在简单的原理图中会丢失布局子图。 CR1需要恰好穿过螺线管的连接、当它们进入电路板时。 您不想将任何电路迹线与电磁阀瞬态电流共享。 这还包括 FET 的接地端。 电磁阀的大小(按电流)有多大?

    我将得到一个示波器、并查看以接地为基准的 P2-1和 P2-2、并观察高电压瞬变、尤其是在电磁阀断电时、当产生反向电压时。 查看 MOSFET 源极和+24V 电源节点。 螺线管上还有一个值相当小的电容器、这会导致它与螺线管电感"共振"。
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    您好 Brian、

    您能否发送一张"坏"器件封装顶部和底部的图片? 他们的卷带或包装盒上是否有标签图片?

    "坏"单位数据代码没有意义。 前两位数字是年份和月份、只能运行0-9和0-9以及 A-C 最后一个"H"数字也毫无意义。

    "良好"的器件数据编码似乎正确。

    您在哪里购买了"坏"器件? "坏"器件上的标记是否看起来像"好"器件? 相同颜色/样式字体? 弯曲?
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    LM339不会损坏。 Q2过热和失效(打开)。 我们可以监控并看到温度在发生故障之前开始升高和关闭。 我们使用此方法在失败前停止运行、然后更改 LM339。 通过交换 LM339、我们可以使良好的汇编失败和失败的汇编良好。
    这些装配体是由 全球点在中国为我们构建的、因此很难获取卷带图片。
    故障 LM339顶部、TI 标识放大和 IC 底部图片。

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    您好 Brian、

    我们对"坏"装置非常怀疑。 我们希望您将其发送给您进行分析。

    此时、由于可能的敏感信息、我想私下对待线程对话的好/坏部分。 我可以通过您的电子邮件地址与您联系吗?

    至于故障模式:要使 Q2变热、它必须在"线性"区域中运行(不是很开启或关闭)。

    Q2的 VGSon 最大值为4V、因此对于12V Q2应完全"导通"。

    我认为它没有完全"打开"的唯一方式是两种方式:

    比较器正在振荡-在高频(PWM)时快速开关。
    U1输出饱和至700mV 左右、这可能会使 Q4以线性模式运行(不饱和)。

    它也可以是这两者的组合...

    您将迟滞反馈电阻器 R5连接到负输入端。 我假设您这样做是因为 MOSFET 输出"反相"。

    但是、Q4也会增加反相、因此 Q2源的"输出"实际上与比较器输出同相。 U1变为低电平、从 Q4中拉出并将其关闭、然后栅极电压上升到12V、从而使 MOSFET 导通和源极接近0V。

    因此、您实际上拥有的是负反馈。 如果添加集成电容器(或延迟)、则可以使整个环路呈线性。

    此外、反相节点上还有一个电容器(C3)、这会导致运算放大器环路中出现振荡。

    即使反馈电阻器进入正节点、电容器也会通过在反馈中添加延迟来否定正反馈。 这会软化正反馈所需的快速"快照"。 您将看到一个噪声"突发"、直到电容器充电。 我要移除 C3。

    为了进行测试、我将移除 R5和 C3并查看过热问题是否仍然发生、并监控引脚13的输出电压以及 Q2栅极电压(包括示波器和 DMM)。
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    可以通过我的电子邮件直接联系我。

    你得出的结论与我们得出的结论相同。 "不良"LM339会导致 FET 每次应切换一次时多次切换。 我可以进行您建议的更改和测试、但我们可以通过将输入设置为9V 以上来获得删除这些器件的相同结果。 在该输入端、LM339在其输入端只看到一次转换、因此 FET 导通并保持导通。 在此配置中(只要负载足够小、FET 能够以100%占空比运行)、电路板将正常运行。

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    您好 Brian、

    我将直接与您联系。

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    感谢您的所有帮助、Paul。