我将 LM339与4401晶体管结合使用来控制 FET。
我已经开始看到一连串的 FET 故障、并且能够通过更改 LM339来使电路正常工作和/或发生故障。
所有发生故障的样片组件上的器件标识均为"TI LM339"和 "HYC5392H"。
工作的样品总成上的标记是混合物:
LM339 G4和9CADSVM
LM339和16P18NAG4
LM339和 P0542AG3
LM339 G4和 04ALFDM
发生了什么变化?
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我将 LM339与4401晶体管结合使用来控制 FET。
我已经开始看到一连串的 FET 故障、并且能够通过更改 LM339来使电路正常工作和/或发生故障。
所有发生故障的样片组件上的器件标识均为"TI LM339"和 "HYC5392H"。
工作的样品总成上的标记是混合物:
LM339 G4和9CADSVM
LM339和16P18NAG4
LM339和 P0542AG3
LM339 G4和 04ALFDM
发生了什么变化?
我的器件列表列出了 LM339D。
我 插入了原理图的 pdf、但我认为它不能正常工作。 如果没有 、可以方便地向您发送 PDF 吗?
输入:
P1-1:24V
P1-2:模拟输入在 FET 上创建 xx%占空比(高于9V = 100%、低于1V = 0%)
P1-3:接地
故障输出 连接到电磁阀。
e2e.ti.com/.../KC_5F00_A10732_5F00_00_5F00_Schematic_5F00_CDM.pdf
可以通过我的电子邮件直接联系我。
你得出的结论与我们得出的结论相同。 "不良"LM339会导致 FET 每次应切换一次时多次切换。 我可以进行您建议的更改和测试、但我们可以通过将输入设置为9V 以上来获得删除这些器件的相同结果。 在该输入端、LM339在其输入端只看到一次转换、因此 FET 导通并保持导通。 在此配置中(只要负载足够小、FET 能够以100%占空比运行)、电路板将正常运行。