[FAQ] [参考译文] [常见问题解答] INA199：当您能够&#39；t 超过-0.3V 时处理器件保护

我们在论坛上一再收到这一问题。 当客户可能施加比器件能够承受的负电压更大的电压时、总是会面临挑战、因为可用的选项在处理此问题方面并不出色、而且肯定不便宜。

我们向客户提出了以下建议：

1. 在电源路径中使用单个二极管、请参阅 此主题。
2. 在电源路径中使用 PMOS FET、请参阅 此主题。
3. 在接地路径中使用 nMOSFET、请参阅此 TI 应用手册。
4. 在 IN+和 IN-输入端使用两个正常的整流分流二极管、请参阅 此主题。
5. 使用齐纳二极管和整流二极管、请参阅 此主题。
6. 实现一个比较器、如果检测到反极性 、该比较器将关闭 MOSFET、请参阅此主题。
7. 使用 LM74700-Q1、 LM74610-Q1或 SM74611等高性能/智能二极管 IC。
8. 使用 低噪声偏置发生器、例如 LM7705。

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