[参考译文] 有关评估模块(THS4509)的问题

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1185338/a-question-about-evaluation-module-ths4509

您好！

我是三星电子射频开发团队的 Beomyu Park。

我对评估模块(THS4509)有疑问。

我正在寻找一个用于测量模拟基带电路的评估套件，我找到了一个评估模块(名称：THS4509评估模块)。

为了最大程度地减小评估模块的负载效应、我将使用较高的 RG 和 RF 寄存器值 来实现高输入阻抗。

在您的数据表中、RG 和 RF 值分别为100欧姆和348欧姆(10dB 增益)、  

但我想使用 2.2K 欧姆的 RG 寄存器值和 2.2K 欧姆(0dB 增益)或4.4k 欧姆(6dB 增益)的射频寄存器值。

评估模块将驱动差分150欧姆寄存器负载。

在本例中、我希望获得低于预期的性能。

高达200MHz 3dB BW。

160MHz 下高达-60dBc 的二阶和三阶谐波失真。

 160MHz 下高达-60dBc 的二阶和三阶互调失真。

4.低于25nV/根(Hz)的输入噪声电压密度、100kHz。

此外、DUT 的 VCM 为500mV ~ 600mV、因此我将使用2.5V 的 Vs+和-2.5V 的 Vs-。

使用评估模块是否有任何问题？

如果您知道更高性能的评估模块、请重做推荐。

功耗无关。

最恰当的考虑。

谢谢你。

Beomyu 公园。