[参考译文] OPA2227：失调电压计算

尊敬的 Franziskus：

可以使用25°C 下的失调电压和温漂(dVOS/dT)来计算随温度变化的失调电压。 根据过程中的高斯分布、这两种规格都有一个典型值和一个最大值。

例如、要计算 U 封装对应65°时器件的典型 Vos、可使用以下公式：VosTyp85 = 5 + 0.1*(85-25)= 11µV μ V

当然、 Vos 和 Vos 漂移规格均为+/-、因此偏移极性可以为负或正。

请注意、表中的 Vos 漂移规格是整个温度范围内总漂移的线性近似值、上述计算应视为一个估算值或典型值、而不是一个精确值。 不同温度下的确切 Vos 受工艺变化和非线性 dVOS/dT 曲线的影响。

这就是为什么数据表指定了温度范围内的最大偏移。 此规格考虑了 25°C 下失调电压的过程分布、 失调漂移的过程分布以及漂移随温度的非线性。 此最大规格是该温度范围内最坏的情况、 而 上面的计算是对该温度范围内运行的估计值。

谢谢。

察赫

快速更正了一个错误：上面的示例计算是针对 典型器件的 Vos AT  °μ A C、不是65。

xuesheng yang 说：

最大偏移是否为 0.6µV 85°C 100µV 或@*(85-25)+ 100µV？

如规格表中所给出的那样、OPA2227U @85°C 的最大偏移为100µV μ V。

谢谢。

察赫

在情况下 一个双曲线 失调电压较大 (例如|Vos|>1mV)、Vos 和失调电压的 R 晶体管输入级相互关联：漂移=~Vos (25)/298C

因此： Max_Vos[@65C]= max_Vos (25C)+ delta_T * max_Drift =+/-75uV+/-(65C-25C)/* 0.6uV/C =+/-99uV  (线性加法)

在情况下 CMOS 或 JFET 晶体管输入级失调电压和失调电压漂移不相关、因此必须按照添加失调电压和漂移 向量 ：

Max_Vos[@65C]=[(max_Vos (25C)^2 +(delta_T * max_Drift)^2]^0.5 =+/-(75^2)+(24^2)]^0.5 =+/-79uV

由于 OPA2227是双极输入运算放大器、初始偏移非常低、为+/-75uV、因此65C 时的 Vos 最大值将介于+/-79uV 和+/-99uV 之间。