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[参考译文] OPA365-Q1:运算放大器输出上的振铃

Guru**** 1139930 points
Other Parts Discussed in Thread: OPA365, INA240
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1201602/opa365-q1-ringing-on-op-amp-output

器件型号:OPA365-Q1
主题中讨论的其他器件:OPA365INA240

大家好、TI!

我构建了一个具有低侧电流感应功能且将 OPA365作为运算放大器的新电机控制器电路板。 运算放大器输出上会出现严重的振荡。 相位或栅极电压等所有其他波形看起来都很好、几乎没有振铃。

 

我想我知道它们的来龙去脉、但我不确定是否有什么我可以反对的地方、我想询问您对此有何想法或评论。

由于分流电阻器的电感和电源路径、我在高侧 FET 的漏极和低侧 FET 的源极之间添加了一个1uf 电容器、以抑制低侧 FET 源极上的初始电压脉冲。

该电容器降低了初始电压脉冲、但我认为它正与分流器和电源路径的电感形成一个 LC 电路、这会导致振荡。 您是否也认为这是原因、还是有我没想到的事情?

下面是我的意思:

但是、当我移除 HS-FET 漏极和 LS-FET 源极之间的电容器(在上图中、是黄色 C)时、在仿真和实际电路板上、振铃会显著降低。 另一方面、当我移除该电容器时、LS-FET 的源极上会出现较大的电压尖峰、这可能会损坏 DRV。 是否应考虑使用较低的电容? 目前其电容为1uF。

下面是测量电流时运算放大器输出的两张图、这张图中电流大约仅为4A:

这是使用 Hs 漏极–LS 源极电容器时的情况:

这不含 HS 漏极–LS 源极电容器:

这里是接地和 LS 源极之间电压的两张图:

这是使用 Hs 漏极–LS 源极电容器时的情况:

这不含 HS 漏极–LS 源极电容器:

例如、在大多数情况下、我对 INA240使用内联感测、但这不存在这个问题。 最好知道在这种情况下是否有一些事情可以提供帮助。 我无法更改分流器的电感、我已经使用了电感较低的分流器、我认为布局应该可以、底部有一些图片和所有原理图。

到目前为止、我已更改了运算放大器的输入滤波器、并且振荡减少了很多。

在我更换滤波器之前、您可以在下图中看到电路。 图片中的值是实值。

这是电路板上的运算放大器的输出:(如果不放置 C69和 C68、看起来会更糟)

使用以下值、振铃大幅减少:

如此处所示:

但是这会将截止频率降低到大约400kHz、我再也不会降低。 如何确定低侧电流感应中使用的运算放大器的最小带宽(对于内联、我很清楚)。 OPA365具有绝对足够的带宽。 我看到过很多经验公式、但取决于它真正依赖什么? 您是否有这方面的应用手册?

我所有三个相位的采样时间大约为150ns-500ns、具体取决于 MCU。 PWM 频率介于10kHz 和40kHz 之间。 占空的低侧 FET 的最短导通时间为最小值2-3us、通常为5us。 采样发生在 LS-FET 导通时间的中间、在这一点上、电压应该已经稳定到一个合理的值。

分流电阻器上的 di/dt 大约在30ns-40ns 内达到80A。 80A 是要测量的最大电流、运算放大器的输入端约为80mV (1m Ω 分流器、增益为20)。 这是 2V/us 的 dv/dt。

 

这种滤波器目前我还没有尝试、振铃可能较少、但我认为稳定时间会完全相同。

以下是布局和原理图:

运算放大器电路:

运算放大器布局:

感测迹线的布线:

此致、提前感谢您、
但以理

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    嘿、Daniel、这里有很多很好的信息、但是运算放大器输出上的负载是多少?  

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    Michael、您好!

    是的、我忘了添加它。 运算放大器输出端的负载是 F28069m 的 ADC、如下图所示:

     

    在 ADC 之前、使用电荷桶滤波器50欧姆、33pF:

    具体布局如下:



    此致、
    但以理

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    Daniel、您好!

    感谢您提供最新信息和分享的精彩信息;我还将查看并回答问题。

    振荡可能是一个探险跟踪;我一定会问我的更广泛的团队这个也。

    此致!

    ALEC

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    您好 Alec、欢迎您、我要感谢您的帮助、如果您需要其他任何东西、请告诉我。 我很高兴看到今天的成果。

    此致、
    但以理

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    Daniel、您好!

    太好了;我将致力于下周回复您。  今天和星期五已经很忙了。

    此致!

    ALEC

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    嗨、Alec、

    只是一些更新。  由于存在振荡、我会尝试在电容器上添加一个串联电阻器来抑制振荡、这可能会有所帮助、我将在星期五进行一些测试并更新结果。

    此致、
    但以理

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    Daniel、您好!

    感谢您的更新。  我将关注任何更新。

    此致!

    ALEC

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    您好 Alec、

    首先很抱歉耽误你的时间。 我的工作中的组件顺序出现问题。 昨天有几个考试的重考者到达了。 我使用与电容器串联的30m Ω 电阻器进行了快速测试。 我注意到有改进、但我需要更多时间和其他阻力来进一步调查。

    然后我将报告。

    此致、
    但以理

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    Daniel、您好!

    感谢您的更新。

    此致!

    ALEC

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    您好 Alec、

    我完成了测试。 我将此电阻器值用于测试:0、10m、20m、50m、100m、 200m、无穷大(无电阻器)、1A、5A、20A。 正如预期的那样、电阻越低、瞬态越高。

    我将使用200m、因为电容一定会影响电流测量、这一点对我很重要。MOSFET 源极上的正负电压尖峰也处于合理范围内、我预计这不会有问题、具体请参阅:) 60安培(最大值)时、200m 电阻器会产生大约3V 的负尖峰、这不是很糟。

    如下图所示、我将使用的输入滤波器的值为20欧姆、6.8nF。 大约600kHz 的截止频率、这应该适合我的应用。

     

    下面是一些图。

    1a. 以下是在电流为5A 时没有输入滤波器时的测量结果:

    1b。 20A 电流的特性与上述特性相同:

    1c. 这里是具有不同输入滤波器的5A:

    1d。 然后使用200m 电阻器和6.8nF 输入滤波电容器进行最终测量:

    有趣的是、如果观察图1a 或1b、则与 A 相或 C 相相比、b 相具有固有的更多振荡 尽管与 A 相相比、B 相有一个更高的串联电阻器、但 A 相看起来更好。 不知道为什么、相同的布局、相同的元件。 我将接受它。

    谢谢!
    此致、
    但以理

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    Daniel、您好!

    振铃可能有很多来源。

    我会尝试通过在该电容器上串联一个0.10...1R 的小电阻来增加 C33的 ESR。 采用0805封装的电阻器可以实现此目的。

    然后、并联电容器时应小心。 这会导致巨大的谐振(->抗谐振)、尤其是在并联电容器都表现出超低 ESR 时。 您可以再次将一个小型0.10...1R 0805电阻器串联安装到两个并联电容器中的至少一个。

    但是、电解电容器在并联连接太小的电容时也会出现问题。 如果并联电容器是10µ 电容器、则将电容从10...100N 增加到470n...10 μ F。 在某些情况下、将一个小型0.10...1R 0805电阻器串联到陶瓷电容器也会有所帮助。

    振铃的另一个原因可能是分流器接地端和 OPAMP 电路之间的共模噪声。 若要尽可能减少这种失真、最好使用实心接地平面并将 OPAMP 移至靠近分流器的位置。 通过共模铁氧体扼流圈将来自分流器的信号馈送到 OPAMP 输入也会有所帮助。 如果您使用这种共模铁氧体扼流圈形成共模滤波器、那么添加串联电阻器有助于抑制谐振。

    另一个诀窍是通过一个小型铁氧体磁珠将一个或多个 FET 端子穿过、以此来最大限度地减少 FET 级本身中的振铃。 当然、必须非常小心地检查这一点。

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    尊敬的 Kai:

    首先,谢谢你写我:)

     

    凯:
    我会尝试通过在该电容器上串联一个0.10...1R 的小电阻来增加 C33的 ESR。 采用0805封装的电阻器可以实现此目的。

    在我上面的帖子中,我尝试了这个。 在我将这个电阻器放置在我的布局布线中之前、我已经读到过这可能会影响电流检测。 我认为这可能不是在我的情况下。  

    因此、我测试了与 C33串联的10m Ω 至200m Ω 电阻器。 我将使用200m Ω、现在效果要好得多。 还添加了一个6.8nF、20 Ω 的滤波器、电路如上图所示。

    凯:
    然后、并联电容器时应小心。 这会导致巨大的谐振(->抗谐振)、尤其是在并联电容器都表现出超低 ESR 时。 您可以再次将一个小型0.10...1R 0805电阻器串联安装到两个并联电容器中的至少一个。

    感谢你的评分 除了3.3V 电压轨上的大量100nF 旁路电容器外、我没有实际并联的 nF 电容器。 3.3V 输出非常干净、那么我认为这应该不是问题吗?

    我并行一些2.2uF 的电容用于去耦逆变器级、但您刚才提到其在微法范围内并不差。

    并联电容器上的电压变化越大、振荡就越大、对吧?

    您能告诉我一个实际的电路/应用、其中哪些方面会导致问题吗?

     

    凯:
    振铃的另一个原因可能是分流器接地端和 OPAMP 电路之间的共模噪声。 若要尽可能减少这种失真、最好使用实心接地平面并将 OPAMP 移至靠近分流器的位置。

    我对布局(如下图所示)尽了最大努力、将接地分开一次、但仅仅是因为功率级上有大约60安的电流。 在逻辑部分、我在第2层和第4层上有两个实心接地层。

    如果我进行高侧感应、我理解应该使从分流器到运算放大器的走线非常短。 低侧感应也很重要吗?

     

    凯:
    通过共模铁氧体扼流圈将来自分流器的信号馈送到 OPAMP 输入也会有所帮助。 如果您使用这种共模铁氧体扼流圈形成共模滤波器、那么添加串联电阻器有助于抑制谐振。


    对于上述内容、您是否了解可以推荐的一些书籍或应用手册。 我知道共模扼流圈是什么、但不知道如何使用它。

     

    凯:
    另一个诀窍是通过一个小型铁氧体磁珠将一个或多个 FET 端子穿过、以此来最大限度地减少 FET 级本身中的振铃。 当然、必须非常小心地检查这一点。

    我从未听说过、您是指串联漏极还是源极? 我看过针对栅极的设计。

     

    此致、
    但以理

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    Daniel、您好!

    我正在等待一位团队成员的更新、他们会告诉我我们是否有任何相关的应用手册可以为您提供帮助。

    此致!

    ALEC

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    您好 Alec、

    谢谢你,这是非常好的!

    此致!
    但以理

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    Daniel、您好!

    您能告诉我一个真实的电路/应用程序,它会导致问题吗?

    以下是一些链接:

    https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1018068/opa3690-video-buffer

    https://www.signalintegrityjournal.com/articles/1589-the-myth-of-three-capacitor-values

    https://electronics.stackexchange.com/questions/320363/antiresonance-of-multiple-parallel-decoupling-capacitors-use-same-value-or-mult

    我明白如果我进行高侧感应,从分流器到运算放大器的迹线应非常短。 它对于低侧感测也很重要吗?

    共模噪声仍然存在。 问题在于实心接地层的间隙、以及您使用未滤波的信号遍历间隙。 如果将较低接地平面中的噪声注入到较高的接地平面中、那么分割接地平面就没有什么意义。

    我将了解一下使用实心接地平面是否比分离接地平面效果更好。 您可以使用大量的导线将两个接地平面连接在一起进行测试。

    另一种补救措施是使用铁氧体磁珠而不是铜轨来减小间隙。 您还可以尝试在穿过间隙的铜轨上、直接在印刷电路板上放置一些铁氧体材料。

    我从来没有听说过这一点,您是指串联漏源还是漏源? 我已经看到它的大门。

    是的、这是常见的方法。 但铁氧体磁珠也可以安装在去耦电容、二极管(恢复时间问题)和 TVS 的端子上。 铁氧体磁珠具有三个作用:在低频时、它们会增加电感、而在低频时、它们会增加欧姆电阻、并通过增加欧姆损耗来抑制谐振。 并且、通过在较高电流下进入磁饱和状态、它们在小电流和大电流下的行为有所不同。 例如、您可以通过它来抑制 TVS 和并联电容器之间的抗谐振、但同时允许 TVS 在高电流(ESD、浪涌和突发)下充分工作。

    遗憾的是、铁氧体磁珠具有高非线性度、您必须更多地通过试错来检查优势、而不是通过仿真或计算来检查。

    凯  

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    再次尊敬的 Daniel:

    为了使电路与一个连续的实心接地层一同工作(而不是使用一个间隙)、您也许需要使用一个具有70µm Ω 铜层的印刷电路板和/或者一个具有更多接地层的印刷电路板。 另一种选择是使用通常用作冷却层的厚金属芯的印刷电路板。 或者您可以将厚铜带直接焊接到板上(垂直安装!) 将80A 分流到远离接地层的位置。

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    尊敬的 Kai:

    感谢您发送编修。

    我想我应该告诉您我的电路板规格:

    逻辑部件:L1 (TOP)= POW、SIG;L2 = GND;L3 = POW/SIG;L4 (BOT)= GND
    我选择此层叠是因为底层几乎没有组件、否则我将切换第3层和第4层。

    功率器件:L1 (顶部)= GND;L2 =栅极走线;L3 =感测走线从分流器到 OPA;L4 = VDD

    所有层均为2oz 铜。

    凯:
    共模噪声仍然存在。 问题在于实心接地层的间隙、以及您使用未滤波的信号遍历间隙。 如果将较低接地平面中的噪声注入到较高的接地平面中、那么分割接地平面就没有什么意义。

    我将了解一下使用实心接地平面是否比分离接地平面效果更好。 您可以使用大量的导线将两个接地平面连接在一起进行测试。

    另一种补救措施是使用铁氧体磁珠而不是铜轨来减小间隙。 您还可以尝试在穿过间隙的铜轨上、直接在印刷电路板上放置一些铁氧体材料。

     

    我想了很多次分离逻辑和权力部分或不,我问了很多人,大学等等。 一开始我不想拆分、但他们说我应该拆分、因为 MOSFET 开关时电源接地端的压降、因此这不会影响逻辑接地。

    我真的不喜欢分离接地、但在本例中、我认为它们可能是正确的。 我知道在间隙上布线绝对是糟糕的、但由于运算放大器的感应布线是差分布线、我认为这不会导致任何问题。 运算放大器的输入阻抗很高、并且运算放大器输入端只有 Cdiff 滤波器、CDM 非常低、为100p。

    但是、正如您所说的、听起来非常有趣。 我真的不明白尽管我具有差分对、为什么会发生这种情况、您能解释一下吗、我对此很感兴趣:

    如果将较低接地平面中的噪声注入到较高的接地平面中、那么分割接地平面就没有什么意义。

    我会使用很多导线将接地连接在一起、我会对此进行测试! 我还将尝试使用铁氧体磁珠、而不是铜线和与跨越间隙的布线串联的铁氧体。 当然、所有这些都是单独分开的。 小电容器如何连接间隙上的接地端、这是否也值得尝试?

    是否可以将运算放大器的滤波器放置在电源接地端、然后使用滤波信号穿过间隙? 但我的截止频率不是很低、大约为600kHz。

    低侧感应具有优势、但也会导致很多问题。

     

    凯:
    是的、这是常见的方法。 但铁氧体磁珠也可以安装在去耦电容、二极管(恢复时间问题)和 TVS 的端子上。 铁氧体磁珠具有三个作用:在低频时、它们会增加电感、而在低频时、它们会增加欧姆电阻、并通过增加欧姆损耗来抑制谐振。 并且、通过在较高电流下进入磁饱和状态、它们在小电流和大电流下的行为有所不同。 例如、您可以通过它来抑制 TVS 和并联电容器之间的抗谐振、但同时允许 TVS 在高电流(ESD、浪涌和突发)下充分工作。

    遗憾的是、铁氧体磁珠具有高非线性度、您必须更多地通过试错来检查优势、而不是通过仿真或计算来检查。

    感谢您提供这些信息、我知道铁氧体磁珠的作用、但从未考虑将其用于 TVS 或并联电容器。 非常令人惊讶 已经有一段时间了、我在一个信号上遇到一些振荡、在仿真中、铁氧体工作得非常好、但当我在现实中进行尝试时、并没有区别。 但可能我使用了错误的铁氧体。

     

     

    凯:
    为了使电路与一个连续的实心接地层一同工作(而不是使用一个间隙)、您也许需要使用一个具有70µm Ω 铜层的印刷电路板和/或者一个具有更多接地层的印刷电路板。 另一种选择是使用通常用作冷却层的厚金属芯的印刷电路板。 或者您可以将厚铜带直接焊接到板上(垂直安装!) 将80A 分流到远离接地层的位置。

    我在这篇文章的开头编写了我的板规格。 我使用的是已经为70um 的铜(2oz)、在逻辑器件上、我有两个接地端、电源接地端只有一个。 我知道布局不完美、下次我将为高电流使用铜带。

    垂直安装意味着什么? 大概是这样吗? (我的第一个板:))

     

     

    这将是我的下一个板,与 ALU 核心:




    Kai、再次感谢您的参与!!

    此致!
    但以理

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    Daniel、您好!

    垂直安装时意味着什么? 大概是这样吗? (我的第一个板:)

    是的、非常相似。 通过"垂直安装"汇流条、我的意思是这样:

    http://ezcircuits.net/zbxe/Lab/21991?ckattempt=1

    当然、焊点会再次增加电阻。 因此、将多个汇流条平行放置或使用带有螺钉的矩形汇流条。

    或类似这样的构造:

    http://wiki.lofarolabs.com/index.php/Building_the_Motor_Controller

    https://www.researchgate.net/figure/Phase-leg-with-the-PCBs-of-the-gate-drivers-during-the-assembly-process_fig1_239936158

    使用实心接地层的概念具有接近效应的优点:HF 接地返回电流集中在接地平面中的信号轨正下方、并且传播的频率越高。 当然、为了使其能够工作、芯片、晶体管和无源器件必须提供非常靠近印刷电路板的连接。 因此、采用 DIL40封装的 μ µC 不会从接近效应中受益太多、因为大多数信号布线都在 DIL40封装内、并且这些布线距离印刷电路板太远。 但是、采用 QFN 封装的 µC μ C 就能获利。

    在您这样的应用中、信号包含的频率较低的分量如下、比如说10...100kHz 以及更高频率的分量。 广泛分布在旋钮电路上的低频分量可从提供比接地层低得多的直流阻抗的重母线中获益。 因此、较低频率的元件将集中在电源部分的汇流条中、不会在整个印刷电路板上分布过多。

    较高频率的分量将受益于接近效应、并且也会集中在电源部分、即电源部分的接地平面部分。

    µC、即使不拆分接地平面、仅需在电源部分使用大量铜并为整个电路使用实心接地平面、Δ I 部分的模拟区域就可以几乎消除重功率电流。

    但是、如果您分离接地平面并且电源部分没有大量覆铜、则可能会产生很多常见噪声、并且接地平面间隙的两个边缘可能会在直流、交流和 HF 处表现出巨大的电势差。 当您沿欧姆定律移动间隙过低时、您可能会将 EMI 从电源部分直接注入到模拟部分。 因此、当从一个部分移动到任何其他部分(模数或电源到模拟、或电源到数字)时、始终必须使用更高的阻抗、至少为 HF。 a.s.o.). 当您没有分裂而是实心接地层时、也是如此。

    我建议使用这样一个电路来横穿间隙或从一个部分移动到另一个部分:

    这只是一个示例、应展示如何借助铁氧体磁珠穿过间隙。 在此示例中、显示了我在电路中经常使用的"FBMH1608HM601"。 当然、也可以使用共模扼流圈、甚至可能是一个更好的想法。 铁氧体磁珠必须正好位于间隙上方。 R3、R4也可以位于间隙上、但 C1和 C2必须位于模拟部分。 VG1"代表两个部分之间的共模噪声。

    借助这种方法、您可以通过高阻抗穿越间隙、防止 EMI 从一个部分注入另一个部分、并进行滤波、抑制共模噪声。 如果您的应用中的问题实际上是共模噪声、那么此技术将会有所帮助。

    凯  

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    尊敬的 Kai:

    感谢您的回答! 对我来说非常值得!!

    我添加了类似于汇流条的内容、但不确定是否需要、我试图将其与"标准设计"结合使用。 这是一个更具实验性的过程、对于我的下一个电路板、我将尝试对其进行优化:


    凯:
    使用实心接地层的概念具有接近效应的优点:HF 接地返回电流集中在接地平面中的信号轨正下方、并且传播的频率越高。 当然、为了使其能够工作、芯片、晶体管和无源器件必须提供非常靠近印刷电路板的连接。 因此、采用 DIL40封装的 μ µC 不会从接近效应中受益太多、因为大多数信号布线都在 DIL40封装内、并且这些布线距离印刷电路板太远。 但是、采用 QFN 封装的 µC μ C 就能获利。

    我试图对除跨越间隙的信号之外的所有信号进行这方面的处理。 正如我提到的、我"希望"这不会导致任何问题、但希望对工程设计来说不是一件好事。

    凯:
    在您这样的应用中、信号包含的频率较低的分量如下、比如说10...100kHz 以及更高频率的分量。 广泛分布在旋钮电路上的低频分量可从提供比接地层低得多的直流阻抗的重母线中获益。 因此、较低频率的元件将集中在电源部分的汇流条中、不会在整个印刷电路板上分布过多。

    这真的很有意义!! 我将过度考虑我的电机控制 PCB 设计。

     

    凯:
    较高频率的分量将受益于接近效应、并且也会集中在电源部分、即电源部分的接地平面部分。

    好的、但为了从电源部分的接近效应获益、VDD 和 GND 尽可能相互重叠并应尽可能靠近也很重要、对吗?

    凯:
    µC、即使不拆分接地平面、仅需在电源部分使用大量铜并为整个电路使用实心接地平面、Δ I 部分的模拟区域就可以几乎消除重功率电流。

    再次说明、非常有道理、谢谢您、我期待用更新的设计尝试一下。

     

    凯:
    但是、如果您分离接地平面并且电源部分没有大量覆铜、则可能会产生很多常见噪声、并且接地平面间隙的两个边缘可能会在直流、交流和 HF 处表现出巨大的电势差。 当您沿欧姆定律移动间隙过低时、您可能会将 EMI 从电源部分直接注入到模拟部分。 因此、当从一个部分移动到任何其他部分(模数或电源到模拟、或电源到数字)时、始终必须使用更高的阻抗、至少为 HF。 a.s.o.). 当您没有分裂而是实心接地层时、也是如此。

    从不考虑这一点! 如果您觉得这样不方便、您是否知道一些示例/参考电路/链接、以及如何在更改章节时添加更高阻抗? 只需添加电阻器、铁氧体或扼流圈?



    凯:
    这只是一个示例、应展示如何借助铁氧体磁珠穿过间隙。 在此示例中、显示了我在电路中经常使用的"FBMH1608HM601"。 当然、也可以使用共模扼流圈、甚至可能是一个更好的想法。 铁氧体磁珠必须正好位于间隙上方。 R3、R4也可以位于间隙上、但 C1和 C2必须位于模拟部分。 VG1"代表两个部分之间的共模噪声。

    借助这种方法、您可以通过高阻抗穿越间隙、防止 EMI 从一个部分注入另一个部分、并进行滤波、抑制共模噪声。 如果您的应用中的问题实际上是共模噪声、那么此技术将会有所帮助。

     

    感谢您的电路。 我直接在间隙上方有0欧姆的电阻器、我尝试改用铁氧体! 我将报告结果、但需要一些时间。

    此致!
    但以理

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Daniel、您好!

    感谢您了解有关行动项目、后续步骤和后续问题的最新信息。  TI 还拥有有关 PCB 布局和高速设计的资源、但文档无疑很难找到。

    如果您确实找到了有关高速布局和设计的文档或之前的 e2e 主题、您可以重新与我联系以提出任何后续问题。

    此致!

    ALEC

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    尊敬的 Kai:

    我刚试过您的电路、因为这花费的时间并不长。

    我在家中仅使用了 BLM15AG601SN1D、而不使用您提到的铁氧体、我使用的是75 Ω、而不是100 Ω。

    我订购了您提到的部件(还有一些扼流圈)、但它们将在3-4天后送达。

    报告结果。


    以下是仅适用于您的电路的相同测量值(但使用了上述值):


    你说什么? 我看不到有太多差异(使用的相位相同、电流和电压相同)。 尖峰较高、但稳定速度与旧电路一样快。


    这是旧值的原值:

    此致、
    但以理



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    您好 Alec、

    我不得不说谢谢你,因为你支持我:)

    我会寻找它,我有几个,但他们不包括我需要的信息。


    此致、
    但以理

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    Daniel、您好!

    正如我说过的、所示的电路只是一个示例、不是即时可用的解决方案。 我将对低通滤波器的元件值进行实验。 我也会尝试共模铁氧体扼流圈。 如果共模铁氧体扼流圈起作用、则峰值不是共模噪声引起的、而是差模噪声引起的、或者换句话说、峰值是您需要的信号的一部分。

    您可以分别处理和处理共模噪声和差分噪声:如我的电路中所示的单独铁氧体磁珠和差动电容器(C93)可抑制差分噪声、而共模铁氧体扼流圈和共模电容(C34和 C35)可抑制共模噪声。 通过它、您可以找出峰值是什么种类的噪声。

    由于您的信号仅在10kHz 范围内、所示铁氧体磁珠的电感也可能太小、您可能需要使用一个提供高得多电感的 UKW 扼流圈、例如如下所示:

    https://www.reichelt.de/de/en/broadband-choke-0-75-kohm-06h-75-p1103.html?trstct=pol_3&nbc=1&&r=1

    这些器件还可用作共模扼流圈、并且它们也采用 SMD 制造。

    同样、我的电路仅展示了使用铁氧体磁珠跨越间隙的想法、而不是现成的解决方案

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    尊敬的 Kai:

    我有很多事情要做,我也有很多事情要做。 首先感谢您的回答。
    我认为这不是现成的解决方案、而是我的起点。 我点了几个 SMD 铁氧体扼流圈,它们应该下周来。

    同时、我有个想法、我假设分流电阻器大约为2-3nH。 当 u = L*di/dt 时,我得到了非常合理的电压尖峰值。 我在分流器上反并联放置两个肖特基二极管、VFW 非常低。 可能这不是常用的方法、但效果不错、尤其是在使用较高电流时、好的方面。 我还°了二极管的温度曲线、在室温下进行了尝试、然后将二极管加热到大约80 ̊ C。

    凯:
    "您可以单独处理共模噪声和差模噪声:如我的电路所示、使用单独的铁氧体磁珠和差动电容器(C93)可抑制差动噪声、而共模铁氧体扼流圈和共模电容(C34和 C35)可抑制共模噪声。 通过它、您可以找出峰值噪声的种类"

    这是一个好主意、非常好的建议、谢谢!!!

    当我得到扼流圈并让您知道时、我会进行一些最终测量、可能会对另一个扼流圈有所帮助。

     当我从雷切尔特看到你的链接时,我必须查看你的个人资料。 然后我看到您来自德国、我来自奥地利、萨尔茨堡  

     

    此致、
    Dani.

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    尊敬的 Kai:

     

    我在运算放大器输入之前安装了铁氧体扼流圈。

    这是我尝试过的一次(Z=680 @100Mhz):
    https://www.mouser.at/ProductDetail/Laird-Performance-Materials/CMA0805A681R-1A?qs=By6Nw2ByBD0t%252BduWHcwEWw%3D%3D

    我还订购了另一个具有更高阻抗的设备、希望它能在下周出现。 (Z=9.5k @100Mhz)
    https://www.mouser.at/ProductDetail/TDK/ACT1210L-201-2P-TL00?qs=Mv7BduZupUihm29FxkL%2FmQ%3D%3D

    此图中未使用差分滤波器、仅使用铁氧体扼流圈、并在运算放大器输入上使用了轻微的共模滤波器。 20A 电流。

    我认为、与扼流圈相比、仅使用铁氧体磁珠没有太大的区别:


    尖峰的峰值不会改变。 我将尝试另一个扼流圈、可能会发生什么变化。

    但到目前为止、我认为尖峰不幸是我需要的信号、您认为是一样的吗?

    此致!
    但以理

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    Daniel、您好!

    感谢您的更新。  在出差期间、我的团队将监控该主题。

    此致!

    ALEC