尊敬的支持团队成员:
参阅 JFE2140数据表的图示原理图、 9-5 (第14页)电流源 Ibias 处有一个并联的电容器(CS)。 在图示的原理图中 9-6 (第15页)、在源电阻器 RS2上有并联的电容器 CS2。 我想提出两个原理图中的一个、使用电流调节二极管 SST511来设置直流偏置并进一步降低噪声。 您能否告诉我由于未出现在器件列表中、CS 和 CS2所需的容量值?
非常感谢您的关注。
此致、
恩里科·博尔塞蒂
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
尊敬的支持团队成员:
参阅 JFE2140数据表的图示原理图、 9-5 (第14页)电流源 Ibias 处有一个并联的电容器(CS)。 在图示的原理图中 9-6 (第15页)、在源电阻器 RS2上有并联的电容器 CS2。 我想提出两个原理图中的一个、使用电流调节二极管 SST511来设置直流偏置并进一步降低噪声。 您能否告诉我由于未出现在器件列表中、CS 和 CS2所需的容量值?
非常感谢您的关注。
此致、
恩里科·博尔塞蒂
尊敬的 Enrico:
元件值高度依赖于您的设计、需要权衡。 具体而言、您可以看到、借助下面的设置、我模拟了一个设计、将 JFE 偏置在2mA、Vds 为3.67V。我扫描了用于在源节点上进行滤波的电容器、该电容器与280欧姆的源电阻并联。 转角频率由1/(2*PI*R*C)决定。 电容器越大、噪声越低。 这可以在下面的图中比较 Vout 1与 Vout 2和3。 最大的噪声优势可以看到使用100uF 电容器。 这需要在初始上电以在设计完全直流偏置之前对电容器充满电进行权衡。 在这种情况下、电容器需要通过电源的4K 电阻器进行充电。 这一概念在上述两个电路中是相同的。 我在下面附上了我的仿真。 我希望这有助于澄清如何为您的设计选择元件值。 请告诉我是否可以提供进一步的帮助。
此致、
克里斯·费瑟斯通
尊敬的 Enrico:
没有 J511型号。 如果您碰巧有该模型、您可以提供它吗? 我们在此处免费下载 Tina TI:
https://www.ti.com/tool/TINA-TI
此致、
克里斯·费瑟斯通
尊敬的 Chris:
我收到了东帝汶国际部队的阿特·海尔德先生的下列消息:
J511数据:
.model J511-L njf VTO=-3.228 beta=360.4u lambda=7.186m Cgd=2.200p CGS=2.200p MFG=东帝汶 国际部队
.model J511-M njf VTO=-4.390 beta=251.1 u lambda=5.578m Cgd=2.200p CGS=2.200p MFG=东帝汶 国际部队
.model J511-H njf VTO=-4.386 beta=273.6u lambda=7.564m Cgd=2.200p CGS=2.200p MFG=东帝汶 国际部队
如果时间允许、请告诉我给定的数据是否可以上传到 TINA 中、然后使用 J511来运行仿真、提前非常感谢您的友好合作。
谢谢、
恩里科
Enrico、
如果他们在文本文件中提供了该模型、其中包含在 SPICE 仿真器中运行所需的所有参数、则可以使用以下方法导入该模型。
https://www.ti.com/video/3870338449001
我希望这能帮助您进行仿真。
此致、
克里斯·费瑟斯通